您好!
我们正在考虑将 BQ76920作为 BMS 应用的 AFE。
我们需要控制(开/关)负载电流高于300A (100到600A)我们使用低侧背对背连接器 MOSFET 并联组合。
总 MOSFET 栅极电荷将大约1000nC、内置 BQ76920栅极驱动器将不足以具有所需的导通/关断时间。
您能否建议使用额外的低侧栅极驱动器来驱动并联 MOSFET?
或者、请建议是否有其他替代方法。
谢谢
瓦苏
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您好!
我们正在考虑将 BQ76920作为 BMS 应用的 AFE。
我们需要控制(开/关)负载电流高于300A (100到600A)我们使用低侧背对背连接器 MOSFET 并联组合。
总 MOSFET 栅极电荷将大约1000nC、内置 BQ76920栅极驱动器将不足以具有所需的导通/关断时间。
您能否建议使用额外的低侧栅极驱动器来驱动并联 MOSFET?
或者、请建议是否有其他替代方法。
谢谢
瓦苏
您好 Vasu、
BQ76920能够并联驱动 FET、尽管如前所述、导通和关断时间可能会受到影响。
我建议使用您的 FET 来表征我们的器件、以查看我们的驱动器强度是否足够。 我们拥有多个使用多个并联 FET 的参考设计、不会出现任何问题。 在某些情况下、可能需要改进关断、这可以通过使用外部关断电路来实现。 BQ76920应能够处理 FET。
我们还提供了 BQ769x2系列、我们还对20多个并联 FET 进行了测试。
此致、
路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙
您好 Vasu、
此器件的 BQ769x0系列中的一些产品展示了这一点。 我将列出几个:
我们有适用于该系列的多种参考设计、您可以在这些设计中进行搜索。 希望这对您有所帮助。
此致、
路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙