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[参考译文] 使用 LM51551DSS 开关和 TPS2373-3RGW PD 控制器由无源 PoE 供电时器件损坏

Guru**** 2387680 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1230578/device-getting-damaged-by-powering-by-passive-poe-using-lm51551dss-switcher-and-tps2373-3rgw-pd-controller

大家好、  

我们正在设计一个由 POE BT 标准适配器供电的接入点。  

我们   在 SMPS 部分使用了 TPS2373-3RGW PD 控制器和 LM51551DSS 开关 IC。  
当我们通过无源 POE 为器件供电时、以太网线路的信号线路会遭到损坏、即信号线路的阻抗变得很低。  

这对我们来说是一个生产障碍、我们 需要尽快提供一些解决方案。  

e2e.ti.com/.../HFCI_5F00_AP88_5F00_Ethernet.pdf

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    尊敬的 Atoshi:  

    感谢您与我们联系!

    "以太网线的信号线已损坏"

    您是否是指八条以太网线(1到8)在无源 PoE 测试后损坏? 执行该测试时、您施加了多大的电压?

    "信号线阻抗变得很低"

    您的意思是、例如在 PR12中、1线和2线之间的阻抗会变低? 对于直流电阻、它应接近于0、因为它们以电感形式连接。 对于交流电阻、它可能取决于磁化电感、CM 扼流圈、电容等多种因素。

    此致、

    帝昂

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    尊敬的 Diang:  

    感谢您的回复。  

    请找到内联响应、

    您是否是指八条以太网线(1到8)在无源 POE 测试后损坏? -->信号对中的任何一个都已损坏。 在多种情况下、2对也会损坏。

    执行该测试时、您施加了多大的电压? -->对 RJ45连接器施加48V POE 电压。

    当我们说 "信号线路的阻抗变得很低"时,我们是在检查信号线路相对于接地的阻抗,这是我们得到的低阻抗,即1.5k,而当我们检查信号线路相对于接地的阻抗时, 我们将获得5.9K 的阻抗。  



    为方便您参考、我们设置了一些点、这些点我们将检查相对于接地的阻抗。  

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    尊敬的 Atoshi:  

    感谢您的答复。 根据我的经验、如果在 PD 的热插拔后发生诸如短路之类的故障、那么 PDIC 就很可能会损坏。 但对于您的情况、导线已损坏、因此可能发生在 PD 热插拔之前。

    对于8条以太网线、PoE 对为 PR12、PR36、PR45和 PR78。 我想知道 P4是否连接到 PR34?  

    而 RClamp0532T 具有5V 的工作电压、而 PoE 具有37-57V 的输入电压。 您能检查一下它们是否可以在这里使用吗?

    此外、PWR_POE_MCT4是否可以因为它位于整流器之前而阻止交流电压?  

    此致、

    帝昂

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    尊敬的 Atoshi:  

    顺便说一下、VDD 和 VSS 之间的电容应小于0.15uF。 通常仅使用一个0.1uF 电容器。

    此致、

    帝昂

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    尊敬的 Diang:  

    感谢您的答复。  

    请查找对您的问题的内联响应。  

    对于8条以太网线、PoE 对为 PR12、PR36、PR45和 PR78。 我想知道 P4是否连接到 PR34? -->是的,P4连接到 PR36,但不限于1个单一 MDI 对。 MDI 线路会随机损坏。  

    而 RClamp0532T 具有5V 的工作电压、而 PoE 具有37-57V 的输入电压。 您能检查一下它们是否可以在这里使用吗? 我们在磁性元件的次级侧使用了 RClam0532T 和 MDI 线,电压为+2.5V 至-2.5V。 我们处于5V 电压范围内。 37V-57V 的 PoE 电压位于磁性元件初级侧、连接到 SMPS 部分。

    此外、PWR_POE_MCT4是否可以因为它位于整流器之前而阻止交流电压? 我们在整流器之前使用的 MOV 是为了抑制来自源的任何瞬态尖峰。 整流器用于将双向电压源转换为单向电压、也可提供反向保护。

    顺便说一下、VDD 和 VSS 之间的电容应小于0.15uF。 通常仅使用一个0.1uF 电容器。 --> TI 团队已经审阅了原理图。 这一点在审查时没有提到。 我们将尝试实现这一点、但这 将添加一些额外的滤波。  

    请告诉我们、 如果我们在 VDD 和 VSS 之间使用3个0.1uF 电容器、会产生什么影响。

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    尊敬的 Diang:  

    我们使用具有集成磁性元件的 RJ45连接器。 通过 PoE 为器件供电时、 一个可能性是在 以太网 MDI 接口的次级侧构建 、并会导致作为次级侧 MDI 线路的以太网 PHY 引脚损坏。  

    在次级侧、我们已经使用 RCLAMP0532 TVS 阵列实现浪涌保护、但我们仍然在 MDI 线路上获得12V 电压、这会随机损坏信号对。  

    请协助我们为这个问题提供解决方案。 因为不能使用无源 PoE 给器件加电是可以接受的、但在任何情况下都不得损坏器件。

    请指导我们如何根据优先级纠正此问题。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Atoshi:

    感谢您的答复。

    在 IEEE 802.3 BT 标准中、VDD VSS 的最大电容为0.15uF。

    对于您的情况、导线已损坏、因此可能在 PD 热插拔之前。 如果在 PD 的热插拔之后发生短路、应触发 PD 的热插拔过流保护。 我建议在未连接 PD 的情况下进行 PoE 注入器测试。  

    另一种可能因素是隔离电压。 对于具有高达57V 稳定电压和瞬态电压的 PoE、可以达到100V、因此必须 留出足够的空间。

    此致、

    帝昂

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    尊敬的 Atoshi:

    我们现在将关闭该主题。 如果您有任何进一步的问题,请予以答复。

    此致、

    帝昂