您好！
我希望驱动要求-5V 和18V Vgs 的 SiC MOSFET。
此外、灌电流为2.81A、拉电流为2.56。
如果我没有弄错、可以使用此 IC 实现目的、但 IC 拉电流为2.5A。 您是否有具有更高拉电流的 IC？ 或者您认为我可以为此目的使用同一个 IC 吗？
同样对于-5V 的驱动、我以以下电路作为参考。
为此、我会将13V 电源替换为5V 电源、但我不明白 VDD 光耦合器的用途是什么？
您好、Alina：
这看起来应该起作用。 假设您需要 Q1额定值、则另一种选择是 UCC27532-Q1、它具有5A 灌电流、因此可以满足该电流要求。 两者都低于2.56A 拉电流、但非常接近。 如果不需要 Q1、则有更多选项、如 UCC27614。
光耦合有助于确保 IN 信号相对于 VDD / GND 正常。 它还提供隔离。 与 VDD 的连接只是光耦合器 Rx 的上拉电阻。 根据接地的设置方式、中的可以直接连接到控制器、或者只需要正常的电平位移电路。
这是另一个仅使用1个电源的电路、可用于负偏置。 它有一些缺点、例如占空比相关性、并且只能在特定时间内保持为负值。 以防它适用于您的应用。
谢谢。
A·M·
尊敬的 Alex：
我有一个4引脚 SiC MOSFET。 因此我的理解是、开尔文引脚将连接到18V 和-5V 的公共端、而电源将连接到 IC dricver/battery 的接地端、因为它是非隔离式的。
我使用不同的驱动器进行了仿真。
我想对 TI 驱动程序使用相同的概念。 概念将会像这样？
此外、您能否推荐一款能够在单个封装中生成18V 和-5V 电压的 IC？ 我想使用 UCC14141_Q1、但 TI 没有库存？
你好,亚历山大,这正是我试图理解的。 在何处连接开尔文源和电源接地端。
我使用此配置尝试了另一个仿真。 从这个意义上讲、与我的主电路相比、我的-5和18V 需要作为隔离电源。 因此、我要将开尔文源和电池负极连接在一起、而我的-5V 和18V 将在何处与岛地隔离？
此外、我的 PWM 是使用同一电池负极生成的。 我也可以将其隔离在输入端并使用隔离式栅极驱动器、还是也可以用于非隔离式栅极驱动器？
关于隔离式栅极驱动器、我一直在研究 UCC23513_Q1。
