[参考译文] LM5177：请求审查 LM5177原理图。

您好、Lee、

感谢您使用 e2e 论坛。
您能否填写我们用于 LM5177的快速入门计算工具并将其发回给我们？
这将加快审查进程。
https://www.ti.com/tool/download/SNVR519

谢谢、此致、
尼克拉斯

大家好、 Niklas Schwarz  

新的 原理图和计算工具已推出,请查看并指导我。  

e2e.ti.com/.../8371.LM5177_5F00_REVIEW.pdfe2e.ti.com/.../7723.LM5177-Buck_2D00_Boost-Quickstart-Tool-V1_5F00_0_5F00_9.xlsm

谢谢  

您好、Lee、

感谢您填写该工具。
我们将审查设计并在1-2天内与您联系。

非常感谢您的耐心。

此致、
尼克拉斯

您好、Niklas

请回复评论。

谢谢。

感谢您的回复。  

1.检测电阻过低-只有10%的裕度、仍高于建议的裕度
->您是说要将其更改为1.9毫米欧姆吗?

2.损失很高-如果可以处理,请再检查
->将电感器值更改为3.3uH 可提高效率。 不过、它变成了一个红色的正方形。 如果我增加电感值、是否存在问题？
->如何提高效率？

3.确保添加输入电容器-未在原理图中显示
->已添加100uF。

4.检查 RCS 的滤波器-将100欧姆更改为10欧姆
->将 R868和 R873更改为10欧姆。

5. SW1和 SW2上的缓冲器
将缓冲器封装置于 SW1和 SW2
(然后可以在需要时(例如由于 EMI)填充它们、而无需更改布局)
注意：缓冲器：将电阻器连接到 GND 以获得更好的热性能
->向 Q75和 Q76添加缓冲电路。

6.在 MOSFET 栅极信号线路中添加串联电阻
(它们随后可以在需要时(例如由于 EMI)更换、而无需对布局进行更改、
其他选项：并联添加一个二极管、实现慢速导通和快速关断。
->栅极上已经有一个电阻器、在 FET 中添加了一个二极管。

7.取下 MOSFET 栅极上的盖-已标记为 DNI -因此应该可以
->正常

8.如果需要,将 MOSFET 栅极上的下拉电阻至少增加到100k
->添加100k 欧姆

9.拆下 L138、L137
->为什么它不连接？ 即使我删除了 L137、它是否仍能正常工作？

10.电容为 VCC 47uF：(数据表最小值：10uF、带直流偏置)
请检查 Vcc 上的电容、以便在考虑直流偏置的情况下具有所需的电容-我们在 EVM 上使用47uF
->无修改。

11. MOSFET 的米勒平坦区
所使用的 MOSFET 需要是逻辑电平 MOSFET -可在2.5V 至3.5V 范围内的米勒平坦区看到
->您可以推荐 FET 吗？ 请修复 Recorfet.

12. R879不添加！
-> R879 DNI

13.交叉频率可增加
->我该怎么办？ 请告诉我如何解决。

请回答任何其他问题。 我想运用您的评论创建一个完美的电路。

您好、Lee、

问题是输入电压范围非常大、因此很难优化。
您是否需要整个输入范围内的全输出功率(6A)？

您采用的是电流配置、您不能增加电感器、否则您将无法获得所需的电流信号。
因此、您可能需要检查所使用的电感器是否可以处理这种损耗、或者是否需要增加额外的冷却。

9. L138、L137显示为电感器-需要连接但不需要电感器

10.在采用5V 电源的 VCC 中、所用电容器的有效电容是多少？

11.选择 MOSFET 是一个相当耗时的过程,需要检查应用在整个范围内的性能和损耗,并确定什么参数是最重要的。 Excel 计算器可以在此为您提供帮助。
选择 MOSFET 时、请确保米勒平坦区低于~ 3.5V -对于 BSC037N08NS5、您可以在数据表的图14中看到这一点。

13. Excel 计算器在这里也可以为您提供帮助：将所需的交叉频率设置为更高的值、例如5kHz、然后使用建议的补偿值。 检查完整工作范围内的波特图：  

• 相位裕度应大于60度。
• 0dB 增益转换的斜率应为-20dB/十倍频程、
• 增益裕度应小于- 12dB

此致、

 斯特凡

我们的客户希望使用所有12V、24V 和48V 系统。
最终、我们的开发板必须在三种电压下工作。

在本例中、LM5177不是合适的解决方案吗？ 还有其他解决方案吗？
它会因负载而异、但最大功耗为60W (10V、6A)。

9.->是的，令人难以置信

10.->如何计算有效电容？ 我能否仅使用 EVM 中使用的47 μ F 电容？

11.->如果在 EVM 中使用 SQJ422EP-T1-GE3、会出现什么问题？
我要在 Vin=48V 的情况下选择 Vd=min 60V。 我是否正确理解了这一点？

13.->应将交叉频率提高多高？

相位裕度应大于60度。 ->这可以在 Excel 中检查。
0dB 时的增益转换应为-20dB/十倍频程、->我可以在 Excel 中检查吗？ 如何检查此情况？
增益裕度应<- 12dB ->可以在 Excel 中检查吗？ 如何检查此情况？

谢谢！  

您好、Lee、

LM5177可能是合适的器件-可能设计规格需要更加明确。

以上3个电压是输入电压吗？

如果需要、为什么将计算器中的输入范围设置为4 - 60V？

10.这可以在电容器数据表中找到、例如、 该电容器的电压仅为5V、是22uF 电容器的20%

11、输入 MOSFET 的参数、检查损耗是否合适

13.这可以通过采用快速启动计算器的补偿部分来完成,请参阅: 所需的交叉频率
-波特图显示了结果,在这里你也看到了,并可以检查以上讨论的3个标准

注意：有关补偿的更多信息、请参阅这份出色的报告： 开关模式功率转换器补偿变得简单

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

感谢你的评分

这三种电压是输入电压。
指定 Vin 为4V~60V 的原因是随附文档中的测试结果。

e2e.ti.com/.../test1.docx
应如何优化 LM5177？

10 -> Uderstaded、
我检查了使用的电容器、它仅为5uF。 我将需要更改电容器。

11 ->是。

13->相位裕度可在 Excel 计算器中检查。 但是、未找到0dB 的增益转换和增益裕度。
如何在 Excel 计算器中查看此内容？

谢谢！

您好、Lee、

好的、这适用于冷启动-因此持续时间仅较短-这可以缓解热问题。

有关增益和相位裕度、请参阅下图

注意：有关补偿的更多信息、请参阅这份出色的报告： 开关模式功率转换器补偿变得简单

此致、

 斯特凡

Stefan、您好、

开关频率降低、输出电压从10V 增加到16V。
因此、我能够将电感器增加到3.3uF、而不会出现任何红色空间。 我们还使用了 EVM 中使用的相同 MOSFET。
提供比以往更高的效率和更少的损耗。 请查阅。

e2e.ti.com/.../LM5177-Buck_2D00_Boost-Quickstart-Tool-V1_5F00_0_5F00_9_2D00_2nd_2D00_16V.xlsm

e2e.ti.com/.../1055.loss_5F00_compare.pdf

您好、Lee、

从我的角度看还不错

建议对冷启动进行正确测试、原因是要在实际硬件上对组件进行加热、以查看温度升高的行为。

此致、

 斯特凡