[参考译文] TPS25982：TPS25982：关于 TdVdt

尊敬的 Arush：

感谢您的回答。
我还有一个问题。

①Could 您告诉我、当 dVdT 引脚上的外部电容为10nF 时、Ton 的最大值是多少？
②Could 您能告诉我将8.3.3.1中计算的 SR 转换为 Ton 的公式吗？
③Is TdVdt 不是 TR、而是 Ton？
④Is CdVdt 是唯一改变压摆率的因素？
⑤Thank 你告诉我关于计算工具的信息。
是否编写了有关如何使用计算工具的任何材料？

谢谢。

Shindo San,

1. 10nF 下的 SR 为4600/(10*1000)，即0.46V/ms。 您没有提到应用中的标称工作电压。 我假设它是12V。 因此、所需的时间将为12/0.46 = 26ms。
2. 第1点显示要计算的步骤。 查找使用4600/Cdvdt (pF)的 SR 并使用压摆率查找时间 T = V/V SR。
3. 第7.7节的图显示了 TR 和 Ton 之间的差异。 基本上、Ton 包括一些延时时间+上升时间。
4. 是的、如果器件处于 dVdT 启动状态、Cdvdt 将控制压摆率。 如果消耗的电流非常高、则器件将处于有效电流限制模式启动状态、但情况会有所不同。 不建议在 ACL 模式下启动器件、因为它可能导致启动问题。  
5. 我不知道有任何指南。 你可以尝试理解它。 您基本上只在几个用不同颜色标记的单元格中输入您的设计要求。 请尝试、如果出现任何特定问题、您可以提出。  

此致、
阿鲁什

尊敬的 Shindo San：

我很早就离开了,因为有些原因,因此错过了你的答复。 这里是我的回复。  

1. 是的、此公式为您提供典型值。 因此、我们不提供压摆率计算的最小值和最大值公式。 如果我使用第7.8节中图20中的 DVDT 充电电流特性。 您将得到公式范围：SR = 4450/Cdvdt 至4650/Cdvdt。
2. 上升时间计算范围为从10%电压电平到90%电压电平。 如果将0.8乘以使用此公式计算出的时间、则将得到上升时间。 同样、TD、导通延迟不属于10nF 12V 值。 根据此表、我们可以预期延迟约为4-5 ms。
3. 我了解您的要求。 它应该约为25.8ms~27ms + TD、on (应该约为 5ms)、因此您可以预期 Ton 的最大值将约为32ms。 如果时序限制非常严格、请添加缓冲区。  

我有一个该器件在启动时的示例。 在此、如果您观察、我们得到大约5ms td、on 延迟。 该测试是针对15nF dVdT 12V 进行的。 我们并不是要描述此规格、我只是分享一个测试、我出于其他一些原因执行了该测试、以此为例。  

如有疑问或有任何后续问题、请随时回复。 如果没有其他问题、请单击 Resolved (已解决)。

此致、
阿鲁什

尊敬的 Arush：

感谢您回答我的问题。 我真的很感激。

我还有一个问题。

为什么第7.8节的图20中的 Idvdt 值与表中的 Idvdt 值如此不同？

谢谢。

尊敬的 Shindo San：

这一点非常有效、我想我在这里犯了一些错误。  

图是不同电压和不同温度下的典型值。 该表是通过表征多个器件来完成的、因此还包括工艺差异。

因此、如果我们使用表值、那么我们将得到19ms 至60ms。 实际上、大多数器件将保持接近前面回答中提到的时间范围(12V 在各种温度下的典型时间范围)、但该范围也能保证适用于临界情况。

我很抱歉给您造成这种困惑、感谢您指出这一点。  

此致、
阿鲁什

尊敬的 Arush：

感谢您的快速响应。

您能否告诉我、您是否有关于特殊情况发生频率的任何信息？

谢谢。

尊敬的 Shindo San：

因此、我找到了数据、但我首先必须与验证团队进行仔细检查。 我明天会回到你的 EOD。  

此致、
阿鲁什  

尊敬的 Shindo-San：

我获取的数据是用于其他东西。 我正在尝试获取统计数据来查找分布。

同时、您能介绍一下最终应用、工作温度等条件。 如果您不想在此处共享、可以直接向我发送消息或给我发送电子邮件。  

此致、

阿鲁什

尊敬的 Arush：

需要关于最终应用的哪些信息？

工作温度为45℃。

其他条件是否为 VIN、VEN/UVLO、RILIM 和 Cdvdt 值？

谢谢。