[参考译文] BQ25638：BQ25638充电查询

尊敬的明星：

我们将进行检查并回复给您。

谢谢。

宁

尊敬的明星：

我们需要其他信息来确定这些行为的原因：  

ICHG 配置3200mA、3.0V 并进入到3.5V 快速充电。 快速充电电流为3.2A。 当达到3.5V 时、快速充电电流将跳至大约3.4A。

  这种现象的原因是什么？

[/报价]

对于第二个问题：

• 连接了什么 VIN 电压和电流？
• VSYSMIN 设置为什么？  
• CHG_STAT 状态是什么？
• VSYS_STAT、VINDPM_STAT 或 IINDPM_STAT 是否设置为1？  
• 使用了什么方法？您估计快速电荷测量的精度是多少？

谢谢！

凯瑟琳·赫卡贝  

您好、TI 团队，

对于您的第一个问题、VREG、VRECHG、ITERM 和 EN_TERM 设置为什么？  CHG_STAT 寄存器状态是什么？

A：VREG=4.2V、VRECHG=4.0V (VRECHG 位 设置为1)、EN_TERM 设置为1。CHG_STAT 为 快速充电(CC)。

对于第二个问题：

• 连接了什么 VIN 电压和电流？  -> 5V 3A DC 电源
• VSYSMIN 设置为什么？  -> VSYSMIN 设置为3.52V
• CHG_STAT 状态是什么？ ->  快速充电(CC)
• VSYS_STAT、VINDPM_STAT 或 IINDPM_STAT 是否设置为1？ －>VSYS_STAT=不在 VSYSMIN 调节范围内，VINDPM_STAT=正常，
• 使用什么方法以及您估计快速充电测量的准确度是多少？->使用5V/3a 直流电源为电池仿真器充电、将仿真器的初始电压设置为3.3V、然后将电池仿真器电压调整为3.5V，充电电流应为3.2A±3%

您好、Eajon：

对于您的第一个问题：

我们正在努力复制 您的 团队观察到的行为、并将在明天结束时取得成果。  我们还有几个问题：

• VINDPM_STAT、VSYS_STAT 还是 IINDPM_STAT 设置为1？  
• 我们不确定 bq27z746在这些低电流下是否具有足够的分辨率。  您能否通过连接感应电阻器和万用表等其他方法确认结果？  

对于第二个问题：

• ICHG 精度为+/- 5%、如果测量精度额外+/- 3%、则3.4A 在规格范围内。  由于电池电压接近 VSYSMIN、因此会出现这种变化。  这将导致 BATFET 从线性模式转换为 PWM 模式、并可能导致电池充电电流增加或减少。
• 在一个还是多个器件上观察到电流增加到了3.4A？  

谢谢！

凯瑟琳·赫卡贝  

您好、Katherine、

 VINDPM_STAT  设置为1、VSYS_STAT 和 IINDPM_STAT 设置为0。

您能否通过连接感应电阻器和万用表等其他方法确认结果？  

->我们将 bq25638EVM 直接连接到电池模拟器，测试结果相同。

对于第二个问题：

• 在一个还是多个器件上观察到电流增加到了3.4A？ ->多个设备。

谢谢！

您好、 Katherine、

 这是因为我们的产品需要支持10个-30mA 充电电流。 VINDPM 设置为4.72-4.8V.10、-30mA 充电在4.1V 下可以正常、但我想知道这是否会对充电 IC 产生不良影响。

 谢谢！