主题中讨论的其他器件:LMG1210、
您好!
分析 TI 的设计时我有点困惑。
我在使用 LMG1210驱动半桥电路(即使使用7.4V 锂聚合物电池作为输入)时也面临巨大的电源纹波问题。 然后我便知道该解决方案是使用陶瓷去耦。 电容器。
参考: https://www.ti.com/lit/an/slta055/slta055.pdf?ts = 1711689333008
在我的应用中、我需要 Vin (max) 100V、Iout (max) 5A、占空比2%至98%(假设为50%)、Fsw 1MHz、Vp (max) 100mV。 根据上面给出的等式(1)、陶瓷电容的值为12.5uF。
现在,争议始于同一 IC 的开发板: LMG1210EVM-012 (https://www.ti.com/lit/ug/snvu572/snvu572.pdf?ts = 1711691344661&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Ftool%252FLMG1210EVM-012%253FkeyMatch%253DLMG1210)
开发板要求10A 电流、fsw 1MHz (典型值-与我使用的相同)。 但开发板正在使用(C3-1uF*1||||C7 、C10 - 0.22uF*2||||C4 、C5、C12 - 0.022uF*3 )。 该组合电容器的电容值为1.1144uF。 根据给定基准的计算结果、这个值甚至还不接近于12.5uF。 有人能告诉我应该使用哪些值的陶瓷电容器吗?