主题中讨论的其他器件： LM5156
大家好、我希望有人可以帮助我。 我想设计一款基于 LM3478、输入电压范围为12-36V、输出为24V 2A 的 SEPIC 转换器。 我根据"AN-1484设计 SEPIC 转换器"和 LM3478数据表计算了所有组件的相关值、结果和提供的示例非常相似、我也尝试使用 Webench、但其值远远超出我和示例的范围、因此我忽略了它。 不管怎么说、组装后我仍然遇到问题、转换器的输出电压保持在+/- 24V、但在1.8A 的负载下(输出端的 LED 驱动器保持电流)、电感器和 MOSFET 都能在30秒内快速过热。 这样我烧毁了两个 MOSFET、因为我没有注意到、那个二极管也因为某种原因短路了、所以我更换了 MOSFET、烧毁了第二个 MOSFET。 另外还注意到输入电压是24V 以上的情况(降压模式)、空载时 MOSFET 发热脉冲(比如、急剧变热、然后冷却下来重复)、 我的实验室电源上的电流 同步跳至0.2A 至0.3A、然后回到零(当 VIN 低于24V 时、我未在升压模式下注意到这种影响)。 那么、这里的问题是、不良 PCB 设计中存在根本问题、还是存在一些我没有看到的根本计算错误？ 我重新阅读了不同的数据表和应用手册、以及论坛上的许多主题、但我仍然没有清楚的解决方案。
这里的原理图表明、L1和 L2的 L=10uH、DCR=30m Ω、IRMS=7.8A、Isat=8.5A、MOSFET 是 Infineon BSC0702LS。
和 PCB (所有层)
PCB 的底部(位于此处的 SEPIC)
PCB 的顶部(在此处找到 LED 驱动器、运算放大器和 MCU)
L2 (输入电感)在21.7V 时的波形。 如果我正在降低实验室电源上的输入电压、脉冲数量上升、并且我正在增加输入、脉冲计数会降低至24V、然后在切换到降压模式后、我假定再次增加(在降压 MOSFET 中、开始过热、没有负载)。
L3 (输出电感器)的波沃韦尼、行为相同。
MOSFET 栅极、行为相同
24V 输入上的栅极
26V 输入上的栅极
28V 输入上的栅极
30V 输入上的栅极
我想知道、为什么在升压模式下、当 VIN < 24V 时、栅极上的脉冲数量缓慢增加和减少、但在 VIN > 24V 后变得超快、就像增加 VIN 0.1V 会使脉冲计数加倍。
提前感谢您、
Ihor Ziuba.
