[参考译文] LM3478：MOSFET 和电感器过热

尊敬的 Ziuba：

感谢您使用 e2e 论坛。
原理图本身对我来说很好。

即使最大负载为2A、峰值电感器电流也应低于5.5A、因此不应出现饱和。
FET 的额定电压仅为60V。 在最坏的情况下(最大 Vin 36V)、FET 上的电压可能会超过60V 阈值、因此请考虑使用额定值更高的 FET、如80V 或100V。
但这不应是导致过热的根本原因。

我来仔细看一下布局。
您还能展示 GND 平面吗？ 现在、看起来所有接地连接都是悬空的。
接地平面对于散热和主电流路径非常重要、因此较高负载下过热的根本原因可能与此相关。

此致、
尼克拉斯

是的、抱歉、我想如果没有接地平面、绘图会更具可读性。 我已经在帖子中更新了工程图。  

希望您的帮助。

P.S.此外,我已经试图改变电感器为22uH ,但没有重新计算补偿电路,没有任何变化(

尊敬的 Ziuba：

可能存在一个问题、即会有大电流经过非常窄的布线、而没有任何散热方式。

I 为初级侧(K1)和次级侧(K2)的主电流路径画线。

次级侧环路(K2)短而紧凑、这很好。 K1是一个相当长的路径、因此您可以考虑为下一个版本更改输入电容器的位置。

输入电压线路 VIN 在电流为~5A 时也相当纤薄。

关于过热问题、您是否有热像仪来检查电感器和 FET 周围的热量产生？
SW 平面小巧紧凑、非常适合 EMI、但另一方面、将热量从组件上散发出去的方法非常有限。
因此、这始终是电路板尺寸与 EMI 与过热危险之间的折衷。

需要澄清另一个问题、过热是否仅在高负载或轻负载条件下发生？

谢谢、此致、
尼克拉斯

感谢您发送编修。 目前、我想解决的是改变开关频率和补偿回路、而 MOSFET 仅在输入电压超过24V 时才在空载条件下过热的问题。在示波器上、当 VIN 低于24V 时、所有占空比(MOSFET 栅极、电感器)都 平稳变化、 但在 VIN 高于24V 的情况下、变化非常急剧、对我而言、它看起来像是调节问题或其他问题、但我无法理解、为何即使在没有负载的情况下也会发生这种情况。  

如果可能、您能为我再回答几个问题吗？

-对于我的情况(VIN=12-26V,=24, IOUT=2A ),对反激式或 VOUT 最简单的拓扑之类的拓扑进行更改是否会更容易?

-如果我坚持使用 SEPIC、应该将 IC 更改为 LM5156、因为它是现代的、具有 TI 提供的 Excel 格式计算器、所以比我的 Mathcad 计算更可信？

尊敬的 Ihor：

Niklas 今天在办公室外。 他可以在星期一回答您的问题。

此致、

 斯特凡