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[参考译文] LMG5200:以接近100%的 PWM 占空比操作高侧栅极

Guru**** 1139930 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG5200, SN6501-Q1
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1345942/lmg5200-operating-the-high-side-gate-with-a-pwm-duty-close-to-100

器件型号:LMG5200
主题中讨论的其他器件: SN6501-Q1

我们希望以接近100%的 PWM 占空比驱动 LMG5200的高侧栅极。 更具体地说、我们希望每十毫秒将高侧栅极关闭一微秒或更短。

在查看数据表之后、我们了解到该器件的自举电源将无法支持此运行模式。 因此、我们考虑将隔离式直流/直流转换器连接到器件的 HS 和 HB 端子。 但是、我们不确定如何以与此器件兼容的方式执行此操作。  

在对 LMG5200的另一篇讨论中、指出器件的自举具有一个内部开关、该开关仅允许其内部电容器充电至所需电压。 因此、能否将具有6V 输出的隔离式直流/直流转换器连接到器件的 HS 和 HB 引脚上并使用电阻器来限制电流?

TI 是否出版了任何描述实现此目标的最佳方法的技术文献?

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    尊敬的 Duncan:

    是的、在使用隔离式偏置电源的情况下、LMG5200可针对高侧 FET 实现100%导通时间。 我们建议使用5V 的隔离式偏置电源输出。  

    此致!

    凯尔

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    您好、Kyle、

    感谢您的回复和使用5V 偏置电源的建议。

    浏览过类似的论坛主题后、我看到了 TI 的 SN6501-Q1、这是一款适用于隔离式电源的变压器驱动器。 这似乎非常适合我们的应用、因为该应用需要低半桥开关频率、因此需要低电流。

    这似乎是一个明智的选择吗? 我们正在考虑使用推荐的变压器之一的非稳压输出设计。

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    尊敬的 Duncan:

    是的、 只要 HB-HS 电 压在 LMG5200数据表中列出的4到5.25V 之间、这应该是一个很好的解决方案。

    此致!

    凯尔