[参考译文] LM51571-Q1：SW 引脚和 BIAS 引脚附近的旁路电容器

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LM51571-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5157

您好！

您是否会建议在以下两个点添加旁路电容器。

如果我们可以添加、可以添加任何参考？电容器的最大值限制是多少？

0 admin 6 个月前

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尊敬的 Feng：

感谢您使用 e2e 论坛。
在反激拓扑中、由于电感器的原因、SW 引脚上的过冲确实会更高。建议在原理图中标记的两个点放置一个缓冲器。
这种情况下通常使用 RCD 或二极管缓冲器。
一个参考是我们的 EVM 设计：
https://www.ti.com/tool/LM5157EVM-FLY

您还可以在我们的设计库中查看其他参考资料：
https://www.ti.com/reference-designs/index.html

对于缓冲器的值、可以使用合适的基准或计算值。
对于计算工具、我强烈建议功率级设计器：
https://www.ti.com/tool/POWERSTAGE-DESIGNER

此致、
尼克拉斯

0 admin 6 个月前

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您好、Niklas、

感谢您的快速响应。

但我在 EVM 原理图中没有看到相关电容器。您能帮助介绍一下推荐我参考的电路吗？

祝你度过美好的一天！

0 admin 6 个月前

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当然、最好与我们分享一个最大值来进行参考。

0 admin 6 个月前

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尊敬的 Shuang：

此处可查看我所参考的原理图器件：

LM5157反激式 EVM 使用两个二极管来缓冲 SW。

在 LM5157反激式设计的 Webench 设计中可以看到 DRC 缓冲器的另一个示例

此致、
尼克拉斯

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