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器件型号：LM5060 我正在尝试确定用于设置特定电流的 Rs 电阻值、但是数据表对于 Rs 电阻器的选择不是很清楚。 它列出了 Vdsth = Isense *(Rs - Voffset)的公式、但没有解释 Voffset 是什么。 我知道特定 MOSFET 的 Rdson 和最大电流决定了 MOSFET 漏源极的 VDS 开发。 同样、我理解将用于设置所需跳闸电流的 Rs 作为16µA 恒定电流以及 Vdsh 与该感测电阻之间关系的函数。 但是、怎样以及怎样决定 Voffset 才能完成方程呢？ 特定评估板根据线性图显示了9.09K 的电阻。 EVAL 表明25mΩ 的 Rdson 和所需的 Imax 为5A。 这会产生0.145V VDS 压降。 同样、如果我计算出该评估的选定 Rs 9.09K * 16µ Δ R = 0.145、正好等于所需电流和所选 MOSFET 的 Vds 压降。 但是、我不明白 Voffset 是如何影响这个过程的。 有人对此有很好的解释吗？ 鉴于特定 MOSFET 的 Rdson、我们应该如何实际为所需的跳闸电流选择 Rs 感应电阻器？ 或者、如果 Voffset 只是设计到芯片中的某个动态元件、从而开发另一个电压来保持电流的16µA、而我们只是使用前面的公式并忽略 Voffset、因为这似乎是一个错误。
