This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM5143:原理图检查

Guru**** 1624225 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5143
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1352285/lm5143-schematic-check

器件型号:LM5143

尊敬的  

该项目使用 LM5143、该器件具有60V/20AH 锂电池输入和38V-53V/20A 可调电源输出。 下面是设计原理图、请帮助检查

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ian:

    请完成 LM5143快速入门计算器、因为需要全面检查原理图。

    此致、

    时间

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    https://www.ti.com/tool/LM5143DESIGN-CALC

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    以下是一些初步评论:

    1. 移除低侧 FET 栅极电阻-这些电阻实际上从未使用(0Ω 仅影响布局并增加栅极环路电感)。
    2. 输入陶瓷电容器应为2.2uF/100V 并靠近 FET 放置(有关正确放置的信息、请参阅 EVM 和应用手册 SNVA803)。 一个阻尼电解电容器设置为4x Cin (电压降额)。
    3. 将 MODE 直接连接到 VDDA 以实现两相操作。 10K 至 GND 仅用于较低的 Iq、但会影响误差放大器性能。
    4. 无需重复的补偿元件- COMP1 (靠近引脚)上3就足够了。
    5. RT 和 SS 引脚也是如此-每个引脚上一个元件。 多个组件只会降低这些高阻抗节点的抗噪性能。
    6. 引导电容器应为100nF/25V 或类似值。 4.7uF 电容过高、并在启动时对自举二极管施加应力(更不用说它会拉低 VCC 电容)。
    7. 在 SOD323封装或类似封装中、自举二极管可以是75V/0.1A。 会在高温下导致过多的反向漏电流。
    8. 不确定这些 MOSFET 是什么、但如果最高输入电压为60V、建议使用80V 逻辑电平器件。

    --

    时间