[参考译文] LM5143：原理图检查

以下是一些初步评论：

1. 移除低侧 FET 栅极电阻-这些电阻实际上从未使用(0Ω 仅影响布局并增加栅极环路电感)。
2. 输入陶瓷电容器应为2.2uF/100V 并靠近 FET 放置(有关正确放置的信息、请参阅 EVM 和应用手册 SNVA803)。 一个阻尼电解电容器设置为4x Cin (电压降额)。
3. 将 MODE 直接连接到 VDDA 以实现两相操作。 10K 至 GND 仅用于较低的 Iq、但会影响误差放大器性能。
4. 无需重复的补偿元件- COMP1 (靠近引脚)上3就足够了。
5. RT 和 SS 引脚也是如此-每个引脚上一个元件。 多个组件只会降低这些高阻抗节点的抗噪性能。
6. 引导电容器应为100nF/25V 或类似值。 4.7uF 电容过高、并在启动时对自举二极管施加应力(更不用说它会拉低 VCC 电容)。
7. 在 SOD323封装或类似封装中、自举二极管可以是75V/0.1A。 会在高温下导致过多的反向漏电流。
8. 不确定这些 MOSFET 是什么、但如果最高输入电压为60V、建议使用80V 逻辑电平器件。

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