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[参考译文] LM5176-Q1:我有关于 LM5176-Q1 IC 设计的一些问题。

Guru**** 2392095 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5176-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1216825/lm5176-q1-i-have-some-questions-about-the-design-of-the-lm5176-q1-ic

器件型号:LM5176-Q1

我们将 LM5176-Q1应用到我们的产品中。

问题1:

我将使用连接到 lm5176-Q1产品的 FB 引脚的反馈电阻的1%容差。

使用1%有什么问题吗?

问题2:

lm5176-Q1的控制方法是什么? PI 控制等。

问题3:

我将 R5%、C5%、R1%用于 COMP 引脚电路。 Toelrance 有任何问题吗?

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    尊敬的 Jongmin:

    Q1:1%容差电阻器是最常用的反馈电阻器、可实现良好的精度。

    Q2:PWM 控制方案基于针对降压操作的谷值电流模式控制和针对升压操作的峰值电流模式控制。

    Q3:一般而言、这种容差足够好了。 您可以使用 LM5176设计计算器  来检查对控制环路的影响。

    此致、

    冯志

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    感谢您的回答。

    我还有其他问题。

    Q: 是否有功能或机制在由 H 桥组成的 FET 模块的高侧和低侧短路时保护 IC 中的 FET? (过流检测除外)

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    尊敬的 Jongmin:

    高侧驱动器和低侧驱动器之间增加了45ns 死区时间、以避免击穿。  

    此致、

    冯志

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    好的。 我已经知道存在死区时间。

    然而、如果发生击穿情况、除了过流检测外、是否有任何其他机制来保护 FET 模块?

    感谢您的快速响应。

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    尊敬的 Jongmin:

    控制器无法检测 击穿。

    此致、

    冯志