[参考译文] TPS51200：反向电流

您好、

Q1：是的、此器件能够从 VO 灌入电流。  请注意、VO 灌电流的 最大工作限值为5.5A。 另请注意、随着 输出电流负值越来越大(灌入更多电流)、输出电压 将上升、 如此处数据表的"典型特性"部分所示。  

根据您的请求：  

Unknown 说：

如果您被允许，请忽略以下问题。

谢谢。
字段

尊敬的 Field Tolson：

感谢您的快速响应。

我很抱歉。 我的解释不好。

您告诉我的灌电流是否为下图中的 No2？

我特别想知道当 EN=L 时、电流在哪条路径中流动。

(我知道当 EN=L 时、电流会流过 DchgVTT)

此致

您好、

我赞赏所作的澄清。

1. 可以。 灌电流与您提供的图中的 No2类似。
2. 当 EN 为低电平时、是的、VO 将 像您所说的那样通过 DchrgVTT 放电。
3. 我不太明白您的问题。 当您提到 VIN 正在放电时、您是否也是指 VIN 也会变为低电平？ Vin 是器件的电源。 如果 VIN 降至 UVLO 阈值以下、REFOUT 和 VO 稳压器都将断电、VO 将通过 DchrgVTT 以类似方式放电。
4. 问题3：SBD 是最佳选择。
5. Q4：是的、这些源/接收功能仅在 EN 为高电平时有效。  

如果我对您的问题的理解不正确、您能否澄清上面提到的#3？

谢谢。
字段

Hi Field、

感谢您的详细回答。

我能够理解案例2。

但对于第1种情况、我仍然需要检查一些东西。

从数据表中、我了解到 DchgVTT 的等效电阻为18Ω(下方的红圈)

则可能18Ω 需要额外的组件。

但是、如果在 TPS51200的 EN 变为低电平之前 VLODIN 无法完全放电、

大部分放电电流将流过寄生二极管、如第1种情况所示。

这种理解是否正确？

此致。

您好、

我很抱歉、因为我可能不会再理解。  

Unknown 说：

在 TPS51200的 EN 变为低电平之前、VLODIN 无法完全放电、

大部分放电电流将流过寄生二极管、

[/报价]

如果 VLDOIN 下降但未完全下降、但随后 EN 变为低电平、VO 将通过内部 MOSFET 而不是寄生二极管放电。 这是您所要求和寻找的吗？

谢谢。
字段

此外、如果 VLDOIN 在 EN 变为低电平之前下降、假设 EN 与图20不是低电平、VO 会跟随 VLDOIN 电平、直到达到如前所述的阈值、并经过内部 MOSFET 而不是寄生二极管。  

谢谢。
字段

Hi Field、

感谢您的快速响应。

很抱歉这么糟糕的解释。

我想问的是下图中的绿色区域。 寄生二极管会在该区域传导电流吗？
(如果外部放电电阻远小于18Ω。)

此致。

您好、

这根本不是问题！ 如前所述、该图应该看起来有所不同、因为 VO 随着 VLDOIN 下降、然后放电。 但不、我认为寄生二极管在该区域中不应传导得太大。 Ω VO、理想情况下电阻应该已经足够小、小于18k Ω、通常当 VO 上的 ESR 超过2-mΩ 时、建议您添加一个 RC 滤波器、这会占用更多空间并增加电路板成本。 这可在 此处第19页的数据表中找到。

谢谢。
字段

Hi Field、

感谢您的快速响应。

总之、拥有 SBD 是否更好？

顺便说一下、我计划这次将一个30uF (10uF*3)陶瓷电容用作输出电容。

此致。