主题中讨论的其他器件:UCC28782、 UCC24612、 UCC28781、UCC5304
SR 控制器能否 与此 IC 配合使用? 我现在正在考虑 UCC24612、因为它是 Webench 设计工具中为 UCC28782建议的。 或者是否必须以与 EVM 相同的方式使用隔离式栅极驱动?
第二个问题:EVM 为什么使用高侧而不是低侧 SR 控制? 高侧具有较低的 CM 噪声优势。
谢谢
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SR 控制器能否 与此 IC 配合使用? 我现在正在考虑 UCC24612、因为它是 Webench 设计工具中为 UCC28782建议的。 或者是否必须以与 EVM 相同的方式使用隔离式栅极驱动?
第二个问题:EVM 为什么使用高侧而不是低侧 SR 控制? 高侧具有较低的 CM 噪声优势。
谢谢
您好 Valentinas、
UCC28781 EVM 没有用于获取 ZVS 负初级电流的高侧钳位和初级开关。 相反、它使用 PWMH 信号驱动次级侧 SR MOSFET 以实现同步整流并具有额外的导通时间、以便允许来自输出电容器的一些电流反向流动并产生 ZVS 所需的负电流。
为了将次级 SR FET 耦合到初级 PWMH 信号、我们使用隔离驱动器。
我们需要满足 pri-sec 安全隔离要求。 我们需要一个具有足够电流的驱动器来驱动 MOSFET。 而且、我们需要 将 从 PWML 信号到 MOSFET 响应的传播延迟保持在合理的最小值。 UCC5304满足所有三个标准。
一种替代方案是变压器耦合电路、但这可能会增加复杂度。
EVM 使用低侧 SR 控制、因为它能够将驱动器直接偏置到输出上。 高侧 SR 需要一个额外的次级侧偏置绕组来为驱动器供电。
此致、
乌尔里希