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[参考译文] UCC28781-Q1:使用 SR 控制器

Guru**** 1179950 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC5304, UCC28782, UCC24612, UCC28781
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1213107/ucc28781-q1-use-of-sr-controller

器件型号:UCC28781-Q1
主题中讨论的其他器件:UCC28782UCC24612UCC28781、UCC5304

 SR 控制器能否 与此 IC 配合使用? 我现在正在考虑 UCC24612、因为它是 Webench 设计工具中为 UCC28782建议的。 或者是否必须以与 EVM 相同的方式使用隔离式栅极驱动?

第二个问题:EVM 为什么使用高侧而不是低侧 SR 控制? 高侧具有较低的 CM 噪声优势。

谢谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Valentinas、  

    UCC28781 EVM 没有用于获取 ZVS 负初级电流的高侧钳位和初级开关。  相反、它使用 PWMH 信号驱动次级侧 SR MOSFET 以实现同步整流并具有额外的导通时间、以便允许来自输出电容器的一些电流反向流动并产生 ZVS 所需的负电流。  

    为了将次级 SR FET 耦合到初级 PWMH 信号、我们使用隔离驱动器。
    我们需要满足 pri-sec 安全隔离要求。  我们需要一个具有足够电流的驱动器来驱动 MOSFET。  而且、我们需要 将 从 PWML 信号到 MOSFET 响应的传播延迟保持在合理的最小值。  UCC5304满足所有三个标准。

    一种替代方案是变压器耦合电路、但这可能会增加复杂度。   

    EVM 使用低侧 SR 控制、因为它能够将驱动器直接偏置到输出上。  高侧 SR 需要一个额外的次级侧偏置绕组来为驱动器供电。  

    此致、
    乌尔里希