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[参考译文] LM5122-Q1:选择合适的 Mos

Guru**** 2535150 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5122

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1208828/lm5122-q1-choose-the-suitable-mos

器件型号:LM5122-Q1
主题中讨论的其他器件:LM5122

海量专家

客户想要使用 LM5122为其 PA 供电。

输入电压为9~16V (12V 电池)输出为45V 270W (6A)正常输出、峰值功率为1000W。 他们 为此电源选择了交错架构。

下面是他们的原理图、现在他们不知道如何选择合适的外部 Mos、您能否分享 Mos 指南并推荐更好的器件型号?    

  控制器部分

  单相功率级  

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    您好!  

    感谢您的联系。 请参阅数据表第40页、第 8.2.2.16节低侧电源 开关 QL 节和第41页、第8.2.2.17节高侧电源开关 QH 和附加并联肖特基二极管。  

    此致、
    EM

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    您好、Em

    感谢您的答复。

    在客户应用中、客户选择 BUK9Y12-60E、但此 Mos 因 过应力而在设计测试中损坏。

    基于上面的电路原理图:开关频率:250k 输出电压为45V。  稳态输出电流:3A 瞬态电流为12A。

    客户想要选择 BUK9Y12-100E、但客户担心 LM5122无法驱动此 Mos、因为它的 Qg 比以前大。  

    那么、您能否帮助分析此 Mos 是否适合 Mos?   

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    您好,孟志涛:

    客户是否确定电压导致了损坏、或者 FET 的额定功率是否存在问题? 如果是由于功率过大而造成损坏、则更改为更高的电压会使问题变得更糟。

    如果是过压、LM5122将能够驱动 MOSFET、但需要检查和计算 MOSFET 中的上升和下降时间以及功率损耗、以免再次对其施加过载。

    此致、
    布里吉特