你好。
我对 EVB 设计有一些疑问:
1) 1)在 Vs 输入端(D10和 D11)使用二极管 OR'ing 的目的是什么? 我想它是为了在输入电压被关闭后为组件供电、而输出仍然被充电、但为什么需要它呢? 它应该防止一些损坏吗?
2) 2)该驱动器的用途之一是通过使用预充电或/和浪涌电流 限制实现浪涌电流保护。 然而、为什么要在浪涌保护的输入端增加三个净电容约~50uF 的电容器、从而超越浪涌保护的影响?
此致、
亚历克斯
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你好。
我对 EVB 设计有一些疑问:
1) 1)在 Vs 输入端(D10和 D11)使用二极管 OR'ing 的目的是什么? 我想它是为了在输入电压被关闭后为组件供电、而输出仍然被充电、但为什么需要它呢? 它应该防止一些损坏吗?
2) 2)该驱动器的用途之一是通过使用预充电或/和浪涌电流 限制实现浪涌电流保护。 然而、为什么要在浪涌保护的输入端增加三个净电容约~50uF 的电容器、从而超越浪涌保护的影响?
此致、
亚历克斯
您好、Rakesh。
1)如果是这样,我认为这种双向流动有一些问题。 为了使 MOSFET 导通、应发生以下情况:Vs 应存在、EN 引脚应高于1.1V、INP 应高于2V。 如果 Vin 断开、EN 会下降(因为这是 Vin 的输入分频)、INP 也会下降、因为 VAUX 也会关闭。 只有 Vs 由输出供电、但这不足以使 MOSFET 保持打开状态。 无论如何、如果我们在输入端使用某个接触器、电流将无法反向流动。 这在驱动器直接由电源供电(而不是通过某些开关)时起作用。
2) 2)好的。 所以,如果我理解正确,他们是不需要的。
此致、
Alex。