[参考译文] LMG1205：LMG1205集成自举二极管压降

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器件型号：LMG1025-Q1
主题中讨论的其他器件： LMG1205

您好，

LMG1025-Q1@内部自举二极管压降设计（0.53 μ V 1mA (25 ℃)、这将防止自举电容器电压充电过高(5V-0.53V=4.47V)、从而可能导致开关晶体管无法完全打开。选择具有高压降的二极管有哪些优势？

谢谢！

0 admin 1 年多前

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嗨、

感谢您向 TI 提出问题。

LMG1025-Q1是一个低侧驱动器、因此没有自举二极管。您是否指的 LMG1205是一款半桥 GaN 驱动器？

如果您指的是 LMG1205半桥驱动器、则0.53V 低于我们的非 GaN 半桥驱动器、而您指的4.47V 远高于大多数 GaN FET 阈值。是否有 GaN FET 特别说明上升阈值较高而这引起了问题？

谢谢！

威廉·摩尔

0 admin 1 年多前

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嗨、Jeno、

您还有其他相关问题吗？

谢谢！

威廉·摩尔

0 admin 1 年多前

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你好 William，

有、LM1205半桥 GaN 驱动器。客户要问的问题是、为什么内部自举二极管不使用具有较低晶体管压降的肖特基二极管、因此栅极电压较高而 GaN 导通速度更快；

谢谢！

0 admin 1 年多前

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嗨、Jeno、

正确、如果 HB-HS 上的电压较高、GaN FET 将更快地导通。 FET 的上升时间也取决于栅极驱动器外部的许多因素。 0.53V 是一个用于集成自举二极管的相当低的 Vf、但使用较低的 Vf 时可能会使用外部肖特基二极管。

但是、由于 GaN 电路的自举过充电特性、这并不是一个大问题。因为、如果出现死区时间、尽管内部二极管出现 Vf 压降、LMG1205实际上仍允许自举电容器充电至约5V。查看与此相关的应用手册。

如果有任何其他问题、请告诉我。

谢谢！

威廉·摩尔

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