[参考译文] TPS65910：通过寄存器更改 VMMC 压摆率

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TPS65910

您好！

我们使用 TPS65910AA1RSL (R)作为 DP83826IRHBR 的电源。

从下面的主题中可以看到、如果 VDDIO 的上升电压小于0.5ms、则会发生 ESD 保护事件、其中提到可能会消耗大电流。
DP83826I：VDDIO 和 VDDA3V3电压的斜升速度快于规定的速度

问题1：
是否可以通过寄存器在规格(0.5V 或更高)内更改 VMMC 压摆率？
我查看 TPS65910的数据表时、似乎 VCC1、2的压摆率可以通过寄存器来更改。

问题2.
关于 Q1、如果 VMMC 压摆率不能通过寄存器更改、是否适合使用外设组件(RC 电路)采取措施？

Thnaks,

科诺

0 admin 8 个月前

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尊敬的 Conor：

问题1：我不这么认为。该选项似乎适用于 VDD1和 VDD2、但不适用于 VMMC。我会尝试是否可以深入研究 VMMC 的隐藏寄存器、看看这里是否有器件、但我不认为有。

问题2. 这可能是更改压摆率的最佳方法。

谢谢。
字段

0 admin 8 个月前

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Hi Field、

好的、我明白。但以确认一下、您能否检查是否有影子寄存器？

谢谢。

科诺

0 admin 8 个月前

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尊敬的 Conor：

我将尝试是否可以深入研究 VMMC 的隐藏寄存器，看看这里是否存在某些内容，但我不相信是否存在。

我查看了一些其他文档、但找不到任何支持此替代方法的内容。

谢谢。
字段

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