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器件型号：BQ76972 工具与软件：
尊敬的 e2e 支持：
我们的 BMS 能够驱动10µs 中的高侧保护(DSG 关断)。
但是、对短路作出反应所需的总时间是多少(短路检测+内部延迟+ DSG 驱动)？ 我们是否能够在小于100µs 的情况下做出反应？
此致、
工具与软件：
尊敬的 e2e 支持：
我们的 BMS 能够驱动10µs 中的高侧保护(DSG 关断)。
但是、对短路作出反应所需的总时间是多少(短路检测+内部延迟+ DSG 驱动)？ 我们是否能够在小于100µs 的情况下做出反应？
此致、
尊敬的 TISL：
这取决于设置和正在使用的 FET 数量。
在最快的 SCD 延迟设置下、根据短路电流的大小与 SCD 阈值设置、可能如下所示(数据表摘录)：
之后、该器件会快速关断 FET。 这取决于许多不同的因素。 但数据表提供了与特定条件相关的下降时间：
总体而言、在进行短路检测后、绝对可以达到100us 以下的关断速度。 但确切时序将取决于其特定的系统。
此致、
路易斯·埃尔南德斯·萨洛蒙