[参考译文] LMG2100R044：LMG2100与 LMG5200的空闲功耗比较。

尊敬的 Leo：

我看到数据表中的 LMG5200图。 但对于 LMG2100R044、数据表中指定的值为0.09A。 这些数字是 来自数据表还是测量值？

此致！

凯尔

这些数字适用于包括支持电路在内的整个电路板。 除了从 LMG5200更改为 LMG2100之外、电路板上的所有其他电路保持不变。

该电路板由单个56V 电源供电。 该电路板有2个在全桥模式下运行的 GaN 器件。 我可以看到、每个 LMG2100的功耗都比 LMG5200高出了大约1.125W。

您要测量的电路板是 TI 评估模块还是单独设计的电路板？  

此致！

凯尔

和散热器电路板。

尊敬的 Leo：

我已经联系了我们的中压团队、了解他们对这方面的任何见解。 我将在本周结束时、在这里提供他们的反馈。

此致！

凯尔

好的、感谢更新。 我会继续监控该主题。

尊敬的 Leo：

我收到了 Sean 关于这件事的电子邮件、在收到我们的中压团队的回复后、我将进行跟进。

此致！

凯尔

有相关消息吗？ 谢谢。

尊敬的 Leo：

我已使用 LMG2100EVM-078测试了 LMG2100R044。 我对 LMG2100R044 Vdd 进行了偏置并关闭了高侧 FET、我对 VIN 施加了56V。 (使器件空闲、无开关)我拆下了散热器、没有气流时、我使用热像仪测量了器件的热性能、此时显示没有来自器件的热量。

这表明、所消耗的能量并不是 GaN 器件消耗的、如果 GaN 器件消耗了这些能量、那么 GaN 器件中会出现温升。

此致！

凯尔

Kyle、

谢谢你,但我看到我本应该更清楚地说明问题的最初描述。

我拥有的两个采用 LMG5100和 LMG2100的电路板在闲置时均以800kHz 的频率和50%的占空比进行切换。 因此、两个半桥之间的净输出为0。

在这种情况下、带有 LMG2100器件的电路板会消耗大量的额外功耗。

此致；

莱奥

好的、我看到现在 LMG2100的 COSS 和 CISS 与 LMG5200相比明显要高很多。

考虑到 LMG2100是一款更新且速度更快的器件、人们会认为这些数字会更低。