[参考译文] LMG2100R044：LMG2100与 LMG5200的空闲功耗比较。

admin

Other Parts Discussed in Thread: LMG5200, LMG2100R044, LMG2100EVM-078

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1359778/lmg2100r044-idle-power-consumption-of-lmg2100-vs-lmg5200

器件型号：LMG2100R044
主题中讨论的其他器件：LMG5200、、 LMG2100EVM-078

您好！

几年来、我一直在使用 LMG5200、由于版本较新、我决定改用 LMG2100。

我看到、使用 LMG2100时、电路板在56V 时的空闲电流消耗为0.12A。

对于 LMG5200器件、56V 时的空闲电流为0.08A。

LMG2100器件的功耗比 LMG2100器件高出2.25W。

我本来以为功耗会更低、因为 LMG2100本应更高效。我看错了吗？

谢谢；

莱奥

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Leo：

我看到数据表中的 LMG5200图。但对于 LMG2100R044、数据表中指定的值为0.09A。这些数字是来自数据表还是测量值？

此致！

凯尔

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

这些数字适用于包括支持电路在内的整个电路板。除了从 LMG5200更改为 LMG2100之外、电路板上的所有其他电路保持不变。

该电路板由单个56V 电源供电。该电路板有2个在全桥模式下运行的 GaN 器件。我可以看到、每个 LMG2100的功耗都比 LMG5200高出了大约1.125W。

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您要测量的电路板是 TI 评估模块还是单独设计的电路板？

此致！

凯尔

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

和散热器电路板。

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Leo：

我已经联系了我们的中压团队、了解他们对这方面的任何见解。我将在本周结束时、在这里提供他们的反馈。

此致！

凯尔

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

好的、感谢更新。我会继续监控该主题。

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Leo：

我收到了 Sean 关于这件事的电子邮件、在收到我们的中压团队的回复后、我将进行跟进。

此致！

凯尔

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

有相关消息吗？谢谢。

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Leo：

我已使用 LMG2100EVM-078测试了 LMG2100R044。我对 LMG2100R044 Vdd 进行了偏置并关闭了高侧 FET、我对 VIN 施加了56V。 (使器件空闲、无开关)我拆下了散热器、没有气流时、我使用热像仪测量了器件的热性能、此时显示没有来自器件的热量。

这表明、所消耗的能量并不是 GaN 器件消耗的、如果 GaN 器件消耗了这些能量、那么 GaN 器件中会出现温升。

此致！

凯尔

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Kyle、

谢谢你,但我看到我本应该更清楚地说明问题的最初描述。

我拥有的两个采用 LMG5100和 LMG2100的电路板在闲置时均以800kHz 的频率和50%的占空比进行切换。因此、两个半桥之间的净输出为0。

在这种情况下、带有 LMG2100器件的电路板会消耗大量的额外功耗。

此致；

莱奥

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Leo：

因此、这将增加器件的 Coss 损耗。如果器件以0负载电流进行开关、仍会有 Coss 损耗。根据我的计算、当在 Vds 56V 下以800kHz 的频率进行开关时、LMG2100的 Coss 损耗应刚好超过1瓦。

LMG5200应具有较低的 Coss 损耗、因为 Rdson 更高、裸片面积更小、因此 Coss 更低。它也是一种较低 VDS 额定电压(80V)的器件、因此 Coss 也会因这一原因略低。

此致！

凯尔

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

好的、我看到现在 LMG2100的 COSS 和 CISS 与 LMG5200相比明显要高很多。

考虑到 LMG2100是一款更新且速度更快的器件、人们会认为这些数字会更低。

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 1460770 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

尊敬的 Leo：

LMG2100是新一代器件、而非 LMG5200、因此性能指标有所提高、但 Coss 是裸片面积的一个因素、并且与 Rdson 成反比关系。由于即使经过工艺改进、Rdson 也只有原来的三分之一以上、因此 Coss 仍然较大。

此致！

凯尔

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] LMG2100R044：LMG2100与 LMG5200的空闲功耗比较。