您好！
我想问您一个有关 UCC28782EVM-030的问题。
关于本文档第16页图8-9的测量条件、负载电流被描述为"1.8A 至3.25A"。
此图中的波形实际测量的电流是多少安培？
此外、包括此波形在内的其他波形的条件是否如下所示？ (图8-9至图8-14)
输入：115VAC
输出：20V
问题的背景如下。
我正在开发输出功率是60W 的电源、但是目前效率不是很好。
有源钳位的 MOSFET 似乎有很大的损耗(实际上会产生大量的热量)、我认为流向高侧的电流比必要的要多。
我认为高侧开关的导通时间可能比应有的时间长。
我还假设开关频率低于应有的频率、并且不必要的电流会流经初级侧。
如果 EVM 数据的图8-9中的波形为60W 输出波形、我认为初级侧电流可在我考虑的电路和 EVM 之间进行比较。
此致、
感谢您的答复。
连接波形。
对于此波形的行为、您是否担心任何问题？
我预测 Tz 优化器未正常工作、因此高侧导通周期越来越长、初级绕组电流流动过度。
我认为这就是它效率低下的原因。
此致、
尊敬的 Kaji-San：
感谢您与我们联系。
是的、PWMH 导通时间取决于 RDM 电阻器值选择。
(1) RDM 引脚设置初始 TDM
(2)微调 TDM、以使 QL 绕过给定的 ZVS 调优目标。 这是在内部完成的
因此、我们大概可以这样说：
TDM ~(Vcst+ delV)/(NVO x RRC/ Lm)、因此 delV 在内部进行调整以帮助 ZVS。
开关节点电容可能导致过大的电流、如下所示：
我认为需要优化 RDM 和 RTZ。
此致、
哈里什
感谢您的答复。
是否使用公式计算 TDM 的初始时间、不包括 ΔV？
另外、对于 ΔV μ s 的调节时间、可以使用下面数据表中的电气特性吗？
波形的 Coss 为15pF 和47pF、但这些值是低侧 FET 的 Coss 吗？
或者它是高侧开关和低侧开关 Coss 的组合吗？
此外、其他寄生元件是否相同？ 输入和输出条件是否相同？
PWMH 是否可以根据 RDM 设置在以下时间关闭？
据推测、如果电流在此时间流向次级侧、则不会关断、但如果没有电流流向次级侧、则会关断。
此致、
感谢您的答复。
要了解 TDM、请告诉我以下内容。
关于你教我的公式。
N 是什么意思？ 是 NPS 吗？
Vcst 似乎是流经低侧开关的电流、但它是否意味着低侧开关导通时的峰值电流？
此外、是否使用数据表中的公式11计算 RRDM 规定的时间与上述 TDM 时间相等？
此致。
