[参考译文] UCC28782EVM-030：有关 EVM 波形的问题

尊敬的 Kaji-San：

感谢您与我们联系。  

从初级侧电流显示的波形中、我认为测试是在3.25A 条件下完成的。 因为运行较小的近似值可以确认这一点。 电流探头为0.2V/A、初级电流峰值约为450mv (绿色波形)、匝数比为5。 因此，大约0.5Ipk*Dmag*NPS = Iout，Dmag 大约为0.57，代入这些值可得到3.3A，这是在115Vac 和20V 输出下得出的。

此致、

哈里什

感谢您的答复。
连接波形。
对于此波形的行为、您是否担心任何问题？
我预测 Tz 优化器未正常工作、因此高侧导通周期越来越长、初级绕组电流流动过度。
我认为这就是它效率低下的原因。
此致、

尊敬的 Kaji-San：

是的、我同意您的观点、高侧开关的导通时间必须更长以允许谐振完成、负 Imag 导致 ZVS。 我认为您必须调优 RDM 和 RTZ 电阻器来改善此行为。

此致、

哈里什

感谢您的答复。
此外，我想问一些问题。
PWMH 关断的条件是什么？
此外、PWMH 导通时间是否取决于 RDM 引脚的电阻值？
数据表的第80页指出、减小 RDM 引脚的电阻将缩短导通时间。
但是、我找不到指定导通时间的详细说明。
稍后、在所测量的波形 I 中、在 PWMH 导通期间初级绕组电流以最大约2A 的电流流动。
您能否就电流过大的原因提供意见？
它是否受开关节点电容能量的影响过大？
此致、

尊敬的 Kaji-San：

感谢您与我们联系。

是的、PWMH 导通时间取决于 RDM 电阻器值选择。  

(1) RDM 引脚设置初始 TDM

(2)微调 TDM、以使 QL 绕过给定的 ZVS 调优目标。 这是在内部完成的

因此、我们大概可以这样说：

TDM ~(Vcst+ delV)/(NVO x RRC/ Lm)、因此 delV 在内部进行调整以帮助 ZVS。

开关节点电容可能导致过大的电流、如下所示：

我认为需要优化 RDM 和 RTZ。

此致、

哈里什

感谢您的答复。

是否使用公式计算 TDM 的初始时间、不包括 ΔV？
另外、对于 ΔV μ s 的调节时间、可以使用下面数据表中的电气特性吗？

波形的 Coss 为15pF 和47pF、但这些值是低侧 FET 的 Coss 吗？
或者它是高侧开关和低侧开关 Coss 的组合吗？
此外、其他寄生元件是否相同？ 输入和输出条件是否相同？

PWMH 是否可以根据 RDM 设置在以下时间关闭？
据推测、如果电流在此时间流向次级侧、则不会关断、但如果没有电流流向次级侧、则会关断。

此致、

尊敬的 Kaji-San：

是的、初始估算值是在考虑自动调优的情况下计算得出的。  

可使用电气特性表将看到的结果关联起来并调优 RDM、以确保其处于 PWMH 导通时间的最大时间范围内。  初始 TDM 设置基于 RDM 的公式(10)、通常在满载和高压线路上与 RTZ 一起进行微调、以确保可以实现 ZVS。 经过此类调整后、UCC28782可针对其他运行条件和模式进行具有自动调优功能的自适应 ZVS。

这只是低侧 FET 的损耗、所有其他参数和测试条件都保持不变。  

驱动有源钳位晶体管的 PWMH 信号也会部分基于退磁时间(由峰值初级电流、输出电压和匝数比决定)间接调制、部分基于根据输入电压产生负磁化电流所需的任何额外时间进行间接调制。 因此、如果电流换向通过到次级、它可能在传播延迟后关闭。   然后、RTZ 引脚上的电阻器 对最小 TZ 时间进行编程、该时间是高侧驱动器的传播延迟和 VSW 下降沿导通低侧开关的最小谐振转换时间之和。

谢谢！

此致、

哈里什

感谢您的答复。
要了解 TDM、请告诉我以下内容。
关于你教我的公式。
N 是什么意思？ 是 NPS 吗？
Vcst 似乎是流经低侧开关的电流、但它是否意味着低侧开关导通时的峰值电流？

此外、是否使用数据表中的公式11计算 RRDM 规定的时间与上述 TDM 时间相等？
此致。