[参考译文] LM5141：请查看原理图。

尊敬的 Chase：

继续并为此设计发送一个完整的快速入门文件、以便我们可以查看元件选择、功率损耗和稳定性。 从 VIN 到 IC 的 VCCX 引脚16之间的 C7 100uF 电解电容器是什么？ VCCX 通常由5V 电源轨供电。 请注意、输入电容器(位于 FET 两端)需要是陶瓷电容器、例如4.7uF/100V/1210。

此致、

时间

https://www.ti.com/tool/LM5141DESIGN-CALC

PS：我认为 C7是一个原理图错误。 由于 Vout = 12V、如果5V 偏置电源不可用、只需将 VCCX 连接到 GND。

通常、不建议在输入端连接钽电容器、因为它们具有故障模式并且容易受到高 dv/dt 的影响。 如上所述、在 FET 上使用陶瓷电容器(有关正确的布局放置、请参阅应用手册 SNVA803)。 对于 EMI 滤波、可根据需要使用输入滤波电感器和适用的阻尼电路。

发送快速入门计算器文件、以便我了解电路参数。 我想我看到了原理图中提到的12V 输出。

尊敬的 Hogyun：

问题2. 我无法下载该文件-请再次尝试附加它。 如果您为最大输入的是65V、请确保您使用的是 LM5141快速入门计算器、而不是 LM25141 (文件名显示)。

问题3： 是的、如果未使用外部偏置电源、则 VCCX 引脚应连接到 GND。 但是、此处 Vout = 5V、因此可以将输出连接到 VCCX 引脚以减少来自 VIN 的偏置电流。

以下是其他注意事项：

1. 在给定52V (最大值)至5V 转换(10%占空比)的情况下、电容较低、Rdson 较大的 FET 适用于高侧位置。 以 CSD18563Q5A 为例(它可以在两个位置使用、因为它还具有较低的 Qrr)。
2. FET 附近的输入电容器应该是陶瓷电容器、例如4.7uF/100V/1210。
3. 在 AGND 和 PGND 之间无需0Ω。 只需将 DAP 上的相应引脚连接起来。
4. 交叉频率 应该设计为 Fsw 的10-12% (当有效陶瓷输出电容减小时、这将提供保持/冷裕度)。 Fsw 的20%是交叉的绝对最大值。
5. 考虑在电流检测线路上添加 RC 滤波器(如果怀疑有噪声)。

此致、

时间