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您好、
对于 LM5108、 我的客户在 HO 低于首次 LO 时提供 PWM 时达到电压反弹。 即自举电容器充电、
这里是波形 CH4：低侧 Vgs、CH3：高侧 Vgs、我已经帮助客户确定了布局不良的根本原因。 但他们可能没有改进布局的空间。
由于 MOSFET Vgsth 过小、并会导致故障导通。 他们需要一种方法来消除 LPCB 引入的电压、理想方法是添加电阻器并限制 di/dt。
我的客户希望使用该结构、既能消除内部二极管上流动的电流、又能改善 HO 上的启动电压反弹。 我的客户希望大部分电流依靠外部二极管运行、尤其是在自举首次充电时、我应该选择什么肖特基二极管 VF？ 或者我们只关心导通速度？ 那么、我们推荐肖特基二极管吗？
也许我应该遵循大电流 VF 并选择一个小于0.9V 的肖特基二极管压降,但我们只给出典型值,最小值如何?
爱玛
