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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1371587/lm25119-can-shunt-resistor-replaced-by-the-bottom-mosfet-rdson-like-lm25116
工具与软件：
尊敬的 TI：
我不确定是否允许将 NMOS Rdson 用作分流电阻器？
如果可能、则应使用哪种滤波 RC？
逐字记录、
布赖恩
您好！
常规电阻器是始终使用的。 使用 NMOS Rds/on 时则不确定。
此致
Mahmoud
Rshunt 和 MOSFET RDS (on)在电流感应方面的主要区别是什么？
LM25119是否支持此类替换？
棱镜
使用 FET Rds/on 时、有几个与导通电阻并联的100pF 寄生电容。 阻抗为 Ron/(1 + CP*Ron*S)。 时间常数是 CP*Ron，非常小。 理论上应该类似于分流电阻器。
1) 1)我可以问"S"代表什么吗？
2)好的、那么唯一缺少的一个问题是 CS 引脚能够处理此类开关电压范围。
我可能会弄错、但 绝对最大额定值 CS1、CS2仅为0.3V。
因此、如果使用分压器将开关节点分离到该范围内的点、这样做是否仍然有效？
"S"是拉普拉斯 变量。
没错、CS1和 CS2上的绝对最大值仅为0.3V。
嗯、我想这是死胡同。
感测周期在底部 FET 打开期间、在关断周期中出现高压、并且感测引脚本身无法处理这个电压。
感谢您的分析。
我相信这个问题已经解决、我将关闭它。
