[参考译文] TPS1HC30-Q1：高侧 MOSFET 开关选项集成 TPS1HC30或 TPS4800 +外部 MOSFET

Tanmay,

对于集成式高侧开关器件、请参阅下表：

这里假设这是汽车应用。 我将在负责外部 FET/理想二极管的团队中循环为这些器件提供建议。

此致、
TIM

尊敬的 Timothy：

感谢快速响应。 该应用是工业 T&M 应用的电流源。

我对您分享的器件/表格进行了研究。 由于我们的最大输入电压高达50V、因此只有两个智能开关器件看起来适用于 TPS1HC30和 TPS281C100。 请告诉我是否有其他合适的方法。
我的主要问题是-这些器件可以在 我分享的应用/方案中使用吗？ 除了缓冲器或电平转换器等任何其他功能或任何此类要求之外、我们将根据需要使用 GPIO/控制功能？

对于高侧开关控制器、只有两个 TPS4800和 TPS4811器件的额定电压超过50V。 这些规格是否适合该应用？ TPS4800仍处于预发布状态、TPS4811已缺货。 还有其他器件建议吗？

请告知我您权限范围内的部件、并在相关团队中为分机循环操作 FET/电子保险丝/理想二极管器件。

谢谢。此致、
Tanmay.

我们是否可以将电子保险丝/非插拔控制器也用于此应用- TPS2400和 LM5060？

谢谢。此致、
Tanmay.

您好、 Tanmay、

Q4在您的方案中有什么用途？ 只开/关用于路径控制-如果有、TPS4800和 TPS4811等高侧开关是理想之选。 它们具有强大的栅极驱动、并在50V 工作电压下提供更好的电压裕度。

BR、

Rakesh

您好、Rakesh。

感谢您的响应
目的是提供多个 CC 设定点。 我们将有2组或3组 Q4 + R3与不同的 R3值并联。 无论启用了哪个 MOSFET、电流都将流过相应的分流器、这将是 CC 环路的反馈电阻器。 所有分流器的负载侧都可以共用。 MOSFET 分流结型信号将通过模拟多路复用器馈送至运算放大器。

我同意、TPS4,800,4811非常适合、但 TPS4800仍处于预发布状态、TPS4811已缺货。 我们可以用什么开始设计或直到 TPS4800投入生产？

作为替代方案、如果电子保险丝适合原理图中的此位置、则对于额外的过流保护层将会很有用。 我们是否可以为此应用使用电子保险丝/热插拔/理想二极管范围的器件(如 TPS2400或 LM5060)？ 如果可用、请建议任何类似/更适合的器件。

此致、
Tanmay.

尊敬的 Rakesh / Timothy：

在回复我之前的消息之前、请参考这一基本问题。

我们的设计使 LM5117在 CC 模式下运行、因此稳压器的输出处于3.5 - 50V 范围内。 如果 CC 源输出用作串联 MOSFET 高侧驱动器的 Vcc、它们将获得相同范围内的可变电源。 如果未违反 OVP/UVP 限制、这当然是可行的、也是可取的？

解决方法是、高侧驱动器可由为 LM5117输入供电的55V 电压供电、而串联导通 MOSFET 的电源由3.5V 至50V 范围内的 LM5117输出供电。 (或更低的1V-50V 范围、适用于极低的阻抗负载)。 驱动器能否承受如此低 VDS 所需的范围内的栅极电压？ 我想 Vds 将为1V、但 Vgs 必须处于5V 至10V 范围内、而 Vcc 为55V。

如果这不可行、请建议一个驱动 MOSFET 的选项。

此致、
Tanmay.

您好、 Tanmay、

您是否有当地的 TI 销售联系人来联系 TPS4811样片？ 另一个替代方案是 LM5060。  

应使用与 Q4的漏极相同的电压为控制器供电、以确保正常运行。 因此、LM5060不适用、TPS4811可在低至3.5V 的电压下工作。  

BR、

Rakesh

您好、Rakesh。

几天前已通过私人消息发送了其他详细信息、因为其中包含专有详细信息。
请尽快还原。
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此致、
Tanmay Sutaria。