[参考译文] UCC23511-Q1：在高侧背靠背配置中使用隔离式栅极驱动器驱动 FET&#39

你好、Sean、

感谢您的迅速响应。  

我想对我们已经设计的电路进行更详细的描述、如下所示：

1.该电路应用针对的是使用 BQ79616 AFE 的 BMS。 由于 AFE 没有用于 FET 开关的控制引脚、我们是通过 MCU 进行开关。

DSG 引脚描述了放电引脚、CHG 是充电引脚、PDSG 是预放电引脚。

3.根据标准操作、当首次连接负载时、PDSG、即 P 沟道 FET 处于激活状态以限制浪涌电流。 PDSG 引脚保持开启几秒钟、之后开关转换到 DSG 引脚、然后 PDSG 引脚关闭。

我们需要更加明确的几点是：-

1)要驱动 P 沟道 FET、我们需要栅极相对于源极的负电位。 根据您的说明、UCC23511具有10至33V 的输出电压、即 Vcc - Vee。 那么、如何执行您在此器件中解释的概念？  

或者我们可能无法理解您介绍的电路。

或者是否有符合标准的器件。 我们希望了解更多关于同样的信息。

等待你对同样的善意回应。

谢谢、此致

Ibrahim

您好 Ibrahim：

很抱歉、我在原理图中犯了一个错误；我不习惯 PMOS 了。 我在下面进行了更正。 您是对的、您需要在栅极上具有相对于源极的负电位。 我的要点是、您可以通过将隔离式电源连接到 PMOS 源来在 VS-处生成负电压。 您仍要使用 OUT 来驱动栅极。

此致、

Sean

你好、Sean、  

感谢您的澄清。

是否需要再次从 Source 中轻触并将其连接到 Bat+右侧？

隔离式栅极驱动器也适用于此类操作吗？

谢谢。此致

Ibrahim  

你好、Sean、

我懂了。 感谢您的答复。

我们目前的电路也应该正常工作、或者是否有缺陷。

此外、N 沟道 FET 是否可与主 DSG FET 并联用于预放电？  

因为我还没有遇到 N 沟道 FET 用于预放电的任何材料或资源。 如果是、那么原因可能是什么？

 我已经附上了用于预放电的 N 沟道 FET 的原理图。

请告诉我、这是否可行、如果有任何与此概念相关的问题、则会有不利影响。

谢谢

此致

Ibrahim  

.e2e.ti.com/.../32_2700_S_5F00_BMS_2D00_Gate_5F00_Driver.pdf

你好、Sean、

我懂了。 感谢您的答复。

我们目前的电路也应该正常工作、或者是否有缺陷。

此外、N 沟道 FET 是否可与主 DSG FET 并联用于预放电？  

因为我还没有遇到 N 沟道 FET 用于预放电的任何材料或资源。 如果是、那么原因可能是什么？

 我已经附上了用于预放电的 N 沟道 FET 的原理图。

请告诉我、这是否可行、如果有任何与此概念相关的问题、则会有不利影响。

谢谢

此致

Ibrahim  

.e2e.ti.com/.../7144.32_2700_S_5F00_BMS_2D00_Gate_5F00_Driver.pdf

尊敬的 Mohammed：

NMOS 的电阻比 PMOS 更低。 如果您有隔离式电源、也可以使用 NMOS。 当没有隔离式电源时、PMOS 更易于在直流条件下导通。  

原理图看起来很好。 只需确保您使用正确的电压和足够的电流设置电源轨。

此致、

Sean