[参考译文] LM61460-Q1：RBOOT SW 节点上升时间

谢谢 Terry 询问我的问题。  此外、我们需要检查、当我们将 Rboot 更改为较高的值(如470欧姆)时、开关信号上升期间为什么会出现纹波(请参阅下面的波形)？   

谢谢

您好！

在数据表中、我们不建议使用超过100 Ω 的 RBOOT 值。 请参阅第10.2.2.7节。 因为我们没有指定超过100欧姆的任何值。 我建议使用100 Ω 或0 Ω RBOOT 进行测试、以查看是否可以解决问题。 RBOOT 值这么大的具体原因是什么？

此致、

Ridge

您好、Ridge、

您能否帮助确认 Rboot 的470R 是否可接受？  我们检查了它可改善 EMC 发射结果、还检查了 电源电气特性(例如输出电压精度、输出纹波电压、瞬态响应和电源效率)在 Rboot=100R 和 Rboot=470R 之间几乎相同。 唯一的区别是 开关信号的上升时间增加、 当 Rboot=470R 时、IC 的温度上升幅度更大(但在规格范围内)。  从测量结果可以看出、将 Rboot 更改为470R 似乎没有问题。  但无论如何、我们需要与 TI 确认。  谢谢。

您好、Ridge、

了解您的观点后、 我们想确认更改 Rboot 是否只会影响 SW 上升时间和电源效率？  因为上升时间和功效、我们可以通过测量来检验它。 是否会出现任何其他问题？ 会导致内部 HS MOSFET 无法正常导通/关断吗？  在数据表中、我们找到了 MOSFET 驱动器的以下简化电路、但尚不清楚它的工作原理。 您能否在 IC 中提供更详细的驱动器电路、以帮助我们了解 Rboot 值较高时的风险。  

谢谢！