[参考译文] LM61460-Q1：RBOOT SW 节点上升时间

谢谢 Terry 询问我的问题。  此外、我们需要检查、当我们将 Rboot 更改为较高的值(如470欧姆)时、开关信号上升期间为什么会出现纹波(请参阅下面的波形)？   

谢谢

您好！

在数据表中、我们不建议使用超过100 Ω 的 RBOOT 值。 请参阅第10.2.2.7节。 因为我们没有指定超过100欧姆的任何值。 我建议使用100 Ω 或0 Ω RBOOT 进行测试、以查看是否可以解决问题。 RBOOT 值这么大的具体原因是什么？

此致、

Ridge

您好、Ridge、  

感谢您的答复。 我们将 Rboot 更改为较高的值、以解决 RKE 频带(433MHz)的 EMC 辐射超车问题。 我们发现、增大 Rboot 值可以改善 EMC 发射。  

谢谢

您好、Ridge、

您能否帮助确认 Rboot 的470R 是否可接受？  我们检查了它可改善 EMC 发射结果、还检查了 电源电气特性(例如输出电压精度、输出纹波电压、瞬态响应和电源效率)在 Rboot=100R 和 Rboot=470R 之间几乎相同。 唯一的区别是 开关信号的上升时间增加、 当 Rboot=470R 时、IC 的温度上升幅度更大(但在规格范围内)。  从测量结果可以看出、将 Rboot 更改为470R 似乎没有问题。  但无论如何、我们需要与 TI 确认。  谢谢。

您好、Ridge、

了解您的观点后、 我们想确认更改 Rboot 是否只会影响 SW 上升时间和电源效率？  因为上升时间和功效、我们可以通过测量来检验它。 是否会出现任何其他问题？ 会导致内部 HS MOSFET 无法正常导通/关断吗？  在数据表中、我们找到了 MOSFET 驱动器的以下简化电路、但尚不清楚它的工作原理。 您能否在 IC 中提供更详细的驱动器电路、以帮助我们了解 Rboot 值较高时的风险。  

谢谢！