[参考译文] CSD19532KTT：降低 MOSFET VDS 最大值

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1382041/csd19532ktt-to-reduce-mosfet-vds-max

器件型号：CSD19532KTT
主题中讨论的其他器件：UCC27282、

工具与软件：

您好、先生、

我正在与 TI 栅极驱动器 IC UCC27282合作来驱动 D2封装 MOSFET CSD19532KTT。

应用程序是在线 UPS

输入电压= 48V DC

输出电压= 230VAC、500W

栅极导通电阻为124.7 E

栅极关断电阻为104.7E

VDS 电压最大值=110V

我想将这个 VDS 电压降低到安全的水平

请建议一些解决方案

4 个月前

0 admin 4 个月前

TI__Guru**** 1671550 points

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您好、Adarsh：

感谢您的咨询。首先、请确保使用非常短的 GND 连接将示波器探头尽可能靠近 FET 的漏极和源极连接。大多数示波器探头的尾纤接地连接会形成一个大环路、能够拾取并非实际漏源电压的噪声。下面的链接是一个有关 TI FET 振铃降低技术的应用手册。虽然该产品主要面向同步降压转换器、但使用 R-C 缓冲器等技术适用于许多使用半桥配置 FET 的应用。此外还提供了一些有关正确示波器探头连接的良好图片。请告诉我、我是否可以提供进一步的帮助。

https://www.ti.com/lit/pdf/slpa010

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

电源管理（参考译文帖）

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