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[参考译文] LM5069:将已充电的电容器连接到输出端后 IC 损坏

Guru**** 2513185 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5069

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1377302/lm5069-ic-damaged-after-attaching-a-charged-capacitor-to-output

器件型号:LM5069

工具与软件:

您好!
基于我最近帖子的类似设置(https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1377231/lm5069-no-latch-off-after-high-overcurrent-load)
我有一个关于在 LM5069的输出端上连接带电高电容的影响的问题:巧合的是、我们发现、在输入端开路时在输出端连接一个大电容会导致 IC 下降。


测试设置(如下图所示):

  • 输入线路开路且0V 至 GND -此处未连接
  • C_ext (14mF)被充电至48V 并通过机械开关连接到输出端

当机械开关闭合时、我们可以看到 LM5069 IC 损坏且 OUT 引脚烧毁。  我对此的看法:

  • 关闭机械时。 开关期间、从 C_ext 到 C1和 C2的浪涌电流会较高。 如果 C1上的电流高于约100A、则会导致分流电阻上出现超过0.3V 的压降、这意味着在和中检测并超过最大值 规格->如果是真的、为什么 OUT 引脚会烧坏? 如果这是故障原因、您是否看到过添加与 Q1串联的背对背 FET 以阻断反向电流之外的任何其他解决方案?
  • 由于开关反弹和电容和线路电感之间的振荡、OUT 和内联上可能会出现电压尖峰(C_ext 输出:大约1m 的实验室线)-> D2/D1应抑制这些尖峰、D3应阻止负电压摆幅。
  • 在输出端连接48V 常规电源并打开电源不会损坏 IC。 因此它肯定与高电压瞬变或浪涌电流有关

您是否知道什么会导致短路电流通过 OUT 引脚?
遗憾的是、到目前为止、我没有相关的测量数据、在烧录下一个样片 PCB 之前、我需要知道要查看的位置。

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    您好!

    我在旅行中。 我将在下周初回到这个话题

    BR、

    Rakesh

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    您好!

    对于容性重负载、我们需要使用背对背 FET 配置、如 https://www.ti.com/lit/an/snva683/snva683.pdf 中的图1所示 

    但是、我预计一品脱会造成损坏、因为存在钳位二极管。 您是否可以 重做测试并捕获测试波形以进行分析。

    BR、

    Rakesh

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    您好、Rakesh。
    感谢您的答复。 测试测量非常困难、因为 IC 在此过程中会被终止。 这就是为什么我首先要询问->以获得一些提示的重点在哪里。 如果您有任何想法或措施,请张贴在这里。 我将尝试用较低的电压重复测试、看看我是否可以在不破坏 IC 的情况下捕获一些有用的信息。

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    是同意挑战。 我预计会有一些违反绝对最大值的情况作为损坏原因、因此让我们尝试通过将示波器保持在触发模式来捕获波形

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    更新了:引入背对背 FET 已按预期解决了该问题。
    故障的根本原因仍然未知、我会给您提供一些测量数据(如果我来的话)

    关于背对背 FET、还有更多的问题:
    是否可以使用不同(且更便宜)的 FET 进行反向阻断、因为不需要宽 SOA? 不同的栅极阈值会产生什么影响?  是否有适用于此问题的应用手册?

    谢谢!

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    是的、SOA 对于反向阻断 FET 不重要

    不依赖于外部 MOSFET 的栅极阈值。