工具与软件：
尊敬的 TI：
Webench 展示了可通过 UCC28C51-Q1实现1000V/1W 输出(输入9~16V)。 我想使用反激式 IC 来控制10kV/1W 输出反激式。
首先、我构建一个10kV 开环拓扑、如下图所示。
VIN = 12V、FSW = 20kHz、占空比= 50%。
我现在有2个问题。
1.为什么 MOS 接通时 XFMR 的初级侧电流是正弦波呢？
2.为什么 在负电流周期 MOS 打开时、Vout 不会增加呢？
Ch1：MOS Vds、Ch2：Vout、Ch3：XFMR Ipri
尊敬的 Huang：
1.我试着 把输入电容从470uF+20uF 更换为20uF、但是共振频率似乎没有区别。
Vin=490uF Cin=20uF 
2.改变第二侧的极性, 只有 VOUT 在轻载/空载情况下更高,输入电流 相同。
原始 
更改极性
3、使用重负荷时, 有一些不同之处。 原来的看起来更像反激式转换器吗？
Ch1：Vds、Ch2：Vpri、Ch3：Ipri、Ch4：Vsec
原始 
更改极性
您好！
VDS 看起来并不正确。 您是否能够添加 MOSFET 的 Vgs 以及 Vds、Vpri 和 Vsec、以帮助了解 Vds 波形为何如此？
当 Vds = 0时、Vpri 应= Vin、但波形 Vpri 不是。 您在哪里测量 Vpri？
您的 VSEC 只需大约50V、因此您的变压器无法正常工作(您需要在次级侧看到10kV)、它看起来您有一个有效变压器。
尊敬的 Houng：
我认为 Vpri 并不稳定的12V 电压、因为我使用过大的负载(100 Ω)和过小的 Cin (20uF)。
我不能输出10kV、也许只输出1：215的 XFMR 比率是不够的、稍后我会收到一个更高的 XFMR 比率。
请参考下面的波形、输出电压为1500V、负载为30M Ω(昨天为100 Ω)。
漏电感是否过大而无法使 Vds 的谐振振幅变为负值？
您好！
我使用3个高匝数 比和1个低匝数比(LM=2.1uH、比率=1：1) XFMR 来测量输入电流 di/dt。
1. lm=40uH,比率=1:20
2. lm=250uH, Ratio=1:215.
3. Lm=26uH, Ratio=1:1166.
在3个高匝 数比 XFMR 中发生了相同的现象、di/dt 比计算值高几倍。
但在1：1 XFMR 中没有发生、 测量值与计算值之间只有10%的偏差。
例如、Vin=12V、Fsw=20kHz、占空比=3%、Lm=26uH。
Ipri_peak 应仅为0.7A、但我测得的电流为10A。
这种现象有什么解释吗？
