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器件型号：TPS2663 主题中讨论的其他器件： TPS25947
工具与软件：
嗨、团队：
如果 V (IN_SYS)-V (OUT)之间的电阻不增加、是否可以降低反向电流保护的阈值？
我的客户将使用导通电阻为10mΩ 的外部 N 沟道 FET。
由于内部导通电阻为31mΩ 且 V (REVTH)为-15mV、因此反向电流保护的典型阈值为-365mA。
他们希望降低该值。 添加具有 FET 或更高 Ron FET 的串联电阻可降低阈值。 但会增加散热。
此致、
Shota Mago
