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[参考译文] TPS25946:启动问题

Guru**** 2579665 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1380412/tps25946-startup-questions

器件型号:TPS25946

工具与软件:

尊敬的专家:

客户将 TPS259460应用为12V (典型值) 和5.3A 连续最大值。  

下面是适配器插入期间的测试波形。  一些问题:

1.它们在输入端具有 TVS、为什么输入电压仍然在绝对额定值上上升到28.5V?  

2.它们将电流限制设置在5.9A 左右、但为什么我们仍能看到电流达到9.2A? TPS259460是否有绝对最大电流额定值? 因为我看到 DS 规格在内部受到限制。

原理图: e2e.ti.com/.../TPS259460ARPW_5F00_circuit.pdf

谢谢!

解决了

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    您好、Allan:

    1.您能否分享 TVS 器件型号(我问这个原因原理图在 TVS 旁边注明了 DNI)

    2.瞬态电流可以达到更高的水平。 在此处、我们可以看到电流上升到9.2A、这小于固定快速跳变阈值22A、因此器件不是预期行为的快速跳变。

    此致、
    Arush   

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    尊敬的 Arush:

    1.请查找更新的原理图。 客户在上面确实有电视。 器件型号为 SMAJ24CA。 请帮助澄清它是否仍然合理、或者如何解决?

    2.明白了。  

    谢谢你。

    解决了

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    您好、Allan:

    它们可以在输入端添加一些更多电容器、以减少这种振铃。  

    最大28.5V 的原因是 TVS 二极管的击穿电压。 这是没有问题的、因为器件的绝对最大值为28V。 这种振铃是由于路径阻抗较高而引起的。  

    此致、
    Arush

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    尊敬的 Arush:

    仍然不完全了解为何28.5V 适用于绝对最大额定值为28V 的器件? 您能详细解释一下吗?

    谢谢!

    解决了

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    您好、Allan:

    是的、您非常清楚地指出它超出了绝对最大限制。 我之前提到过、没有问题、因为它是非常接近限值的瞬态违例。 我再次进行了检查、我认为如果他们将 TVS 二极管更改为 SMAJ22CA、这也可以解决。

    很抱歉造成混淆、感谢您指出这一点。

    之前、当我提到在输入端添加更多电容器时、我也是指增加输入去耦电容器。 他们是否使用增加的盖子重新测试? 它们是否仍出现振铃?  

    此致、
    Arush

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    尊敬的 Arush:

    我在输入端添加一个10uF 电容器或将 TVS 更改为 SMAJ22CA 并不能改善测量结果。
    请回答以下两个问题:

    01.您有其他改进建议吗?
    02.随附的是供您参考的测试结果。 超过28V 的持续时间大约为24ns。 此间隔是否符合规格? 如果是、根据规格允许的范围是多少?








    此致、
    Benny

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    尊敬的 Benny:

    您是在器件附近添加电容器还是在器件附近有一定距离的地方添加电容器。 最好将其添加到设备附近。 对于大于28V、持续24ns 的情况、我必须由该器件的设计人员对其进行验证。

    您是否曾在输入端使用过长导线? 该导线电感会导致这些高瞬变。  

    此致。
    Arush  

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    尊敬的 Arush:

    关于您的询问、以下是相关回答:
    01. 10uF 电容器的位置非常靠近芯片输入端子。
    02.短线用于测量,而不是长线。

    关于您询问的问题、有时电压可能会略高于28.1V 的电流测量结果、有时会达到28.5V。
    但是、不能保证这些事件每24 ns 精确间隔一次、因此查询允许的边距。

    此致、
    Benny

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    尊敬的 Benny:

    关于您询问的问题、电压偶尔可能会略高于28.1V 的电流测量结果、有时会达到28.5V。
    但是、不能保证这些事件每24 ns 精确间隔一次、因此查询允许的利润。

    有道理的。 这需要一些时间。

    02。 测量使用的是短导线、而不是长导线。

    我认为这是 瞬变的主要原因 、但您要说的是线路短路、因此我们无法在这里进行优化。  

    01. 10uF 电容器的位置非常靠近芯片输入端子。

    这应该会有所帮助、但不会。 我不知道为什么它不起作用。 电容器是否放置在 CP110焊盘上。 您能否在这里放置更多电容器、以检查这是否有帮助。   

    我们还可以尝试使用更高的 dVdT 电容器进行该实验吗? 10nF 或类似器件。 这应该会降低启动速度、从而降低浪涌电流和瞬态。  

    此致、
    Arush

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    尊敬的 Arush:

    01.新添加的电容已放置在非常靠近 IC 输入的位置。
    02.试图增加到10uF*2会导致电流大于22.2A、可能会损坏 IC。 不建议使用如此高的电容值。 (参见图1)
    03.将 dVdT 电容(CP108)更改为10nF 会导致测得的电压高于原始值。 (参见图2和图3)
    图1


    图2

    图3

    此致、
    Benny

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    尊敬的 Benny:

    您施加的负载是多少?  

    此致、
    Arush

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    尊敬的 Arush:

    负载是我的 DUT 系统。

    此致、
    Benny

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    尊敬的 Benny:

    您能否通过一些电子负载测试电子保险丝、以检查该行为是否继续。 您可以使用 CR 模式。 (12V/5.3A = 2.2 Ω 负载。)  

    此致、
    Arush