[参考译文] TPS548A29：IC 发热问题

尊敬的春明：  

首先、我想说 AGND 和 PGND 应单独接地、并且应在内层上的单个点处连接。  

MODE、TRIP 和 EN 应连接至 AGND。 输出电流为7.2A 时、建议使用6.65k 的 Rtrip、以在约9.5A 下实现更高的过流限制。此设计需要 pF 的 Cff。  

在温度方面、多高的温度是非常高的温度？ 根据数据表、热感图像显示 IC 达到68摄氏度  

布局是改善热性能的重要因素、此处提供了有关布局如何改善热性能的应用手册。 拥有更多的层、更大的平面、更多的过孔可以改善散热。  

高功率密度降压转换器的热性能优化

此致！

Ryan

您好、Ryan

如下图所示、IC 的温度高于80℃。

是否应  使用磁珠连接 AGND 和 PGND？ 原理图、布局如下图所示。 你有什么建议吗？

谢谢您~

尊敬的春明：  

AGND 和 PGND 可以使用网带通过较大 PGND 和 AGND 覆铜在内层上的单个点进行连接。 建议遵循数据表中的布局建议和指南。 我看到的一件事是、如果尺寸不受限制、则在元件之间留出更大的间距、一个例子是输出电容器几乎接触到输入电容器。  

此致！

Ryan