工具与软件:
大家好!
我使用 INNOSCIENCE GaN 产品 INN650DA140A 产生高频脉冲、且产生的热量极少。 为了高效驱动 GaN、我选择了 LMG1210半桥驱动器。 但是、在仿真过程中、我没有得到预期的结果。
原理图如下。

如果作为电子设计专业人员、您能帮助我检查我的原理图是否正确、我将不胜感激。 如果您能提供任何旨在提高电路性能的建议、我们将不胜感激。
如果您的问题得到了解答、或者您需要任何进一步的信息、请告诉我。
此致、Kahhi
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大家好!
我使用 INNOSCIENCE GaN 产品 INN650DA140A 产生高频脉冲、且产生的热量极少。 为了高效驱动 GaN、我选择了 LMG1210半桥驱动器。 但是、在仿真过程中、我没有得到预期的结果。
原理图如下。

如果作为电子设计专业人员、您能帮助我检查我的原理图是否正确、我将不胜感激。 如果您能提供任何旨在提高电路性能的建议、我们将不胜感激。
如果您的问题得到了解答、或者您需要任何进一步的信息、请告诉我。
此致、Kahhi
嘿 Kawhi、
感谢您就您有关 LMG1210的问题联系 TI。
作为参考、VDD 由于内部 VCC、您无需为 VIN 和 LDO/LDO 供电。
我们建议在 LO 和 HO 布线上也放置栅极电阻器。 由于该电路的快速开关特性、这些电阻器可以为0欧姆、但最好将其作为必要时的备用电源。
HB-HS 上的10nF 电容器可能小于该系统所需的电容器。 有关该值和 VDD 电容值的计算方法、请参阅此应用手册。
没有输出级连接到 HS、因此它保持悬空。 该系统的计划输出级是什么?
您能否分享您看到的意外行为的波形?
如有任何问题、请告诉我。
谢谢!
William Moore