工具与软件：
大家好、我一直在使用 TINA-TI 对采用共源极配置的 LM74801-Q1进行仿真。 我正在尝试将其用于功率相对较高的应用(与参考设计相比)。 我注意到、在大负载电流下、理想二极管 MOSFET 的正向压降会增加、并且会在 Q2的 Vds 达到150mV 后阻止 Vcap 充电。 我想知道这是否是由导致发生这种情况的某个隐藏阈值(我无法在数据表上找到广告)造成的？ 此外、 LM74800-Q1特有的10.5mV V (AC)线性正向电压调节功能是否导致行为异常？ LM74801-Q1的行为是否有所不同？
尊敬的 Shiven：
可以在 LM7480-Q1 页面上找到我要仿真的文件、特别是共源瞬态模型。 我所做的唯一修改是添加一些电压/电流表(以查看某些重要信号)、添加与给定负载并联的电流发生器、使器件能够在更高的负载功率下运行、并将源电压增加到28VDC。
仿真截屏：光标跟踪 V_DIODE (即二极管 VDS 的正向压降)。 另请注意 VCAP_2 (它是相对于 VS 引脚测量的电容引脚、即电荷泵电容器上的电压)。 当 VDS 或理想二极管 MOSFET 达到150mV 时、VCAP 不再充电。 我在将其他 MOSFET 型号替换为不同的 RDS (on)值时发现了这一点、当理想二极管 MOSFET 的 VDS 达到150mV 时、VCAP 始终停止充电。
我正在尝试了解发生这种情况的原因、这是仿真模型的问题、还是数据表中未指定的行为？
尊敬的 Trenton：
我在 OrCAD PSpice 上进行了仿真、并且确实进行了复制。 150mV 是反向至正向转换的阈值。
电荷泵未充电只是一个模型工件、 不会在实际 IC 上发生。
实际上、电荷泵的功能不会改变。
此致、
Shiven Dhir
