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[参考译文] UCC21550:UCC21550上部 MOSFET 驱动电路不工作

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21550
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1386114/ucc21550-ucc21550-upper-mosfet-driving-circuit-is-not-working

器件型号:UCC21550

工具与软件:

您好!

我使用了 UCC21550ADWR 半桥隔离式栅极驱动器 IC 来驱动 MOSFET。 在这里、我在驾驶时遇到了一些问题。 . 下面是附加的原理图、我将用于驱动半桥 MOSFET。  

问题: 我正在使用3525 IC 进行 PWM 生成、在导通时间内、两个 PWM 都从3525 IC 导通  (连接的波形)、但在驱动器 UCC21550侧、仅下脉冲导通、但上脉冲关断。  

请检查原理图、如果需要更改元件值、请告诉我。

测试条件:

1.与系统进行检查(将两个驱动器信号(OUT A 和 OUT B 与 VSSA 和 VSSB 相同、连接 至 MOSFET)

2.更改了 DIS 和 DT 引脚的值-无结果

您的早期响应对我很有价值。

谢谢。

   

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    尊敬的 Ravi:

    首先、我想验证您的 INA 和 INB 电压值是否处于器件的建议工作条件范围内。 根据波形、这些电压似乎约为12V 至15V、我们的建议 INx 范围高达约6V。 我建议将高脉冲电压保持在 VCC 值附近、以确保器件使用寿命更长。

    现在就 OUTA 通道不切换而言、您的示意图看起来没有问题。 元件选型符合我们的所有建议。 我很好奇您在哪里探测 OUTA 波形。 您是否在 OUTA 引脚进行探测、还是在靠近 MOSFET 进行探测? 输入波形也是如此。 是在引脚处探测它们、还是在更远的位置探测它们? 我想确定栅极驱动器实际上是在接收输入信号、以便更好地确定问题的根本原因。

    此致、

    会的

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    您好!  

    感谢您提供的信息。 正如我在附加的原理图中提到的、输入电源电压 VCC = 5V。 另外、直接在3525 IC (PWM 生成)中测量的 INA 和 INB、OUTA 和 OUT B 探头连接在 MOSFET 侧。  

    如果有任何可用的计算表、请与我分享。

    如果您需要任何其他信息、请进行更新。  寻找进一步的指导。

    谢谢。

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    尊敬的 Ravi:

    感谢您提供更多信息。 您能向我确认直接在引脚处的 VDDA 和 VDDB 的电压都是15V 吗? 如果在引脚 VDDA 和 VDDB 上探测到波形、那会非常有用。 我想确定通道 A 在 VDDA 引脚上接收到适当的电压、以便器件不会进入 UVLO。

    此致、

    会的

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    由于连接发生了一些变化、现在两个 PWM 都正常(附加了波形1)(测试条件:当上部 MOSFET 漏极开路时)。

    但当我连接上部 MOSFET 漏极时、两个 MOSFET (半桥的上部和下部)都会烧断(附加了波形2和3)。

       

    如果需要更改驱动器电路中的任何元件值、需要您的建议。

    谢谢。

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    尊敬的 Ravi:

    我很高兴您能够找出有关 OUTA 不切换的问题。 现在对于 MOSFET 输出、可能有两个原因导致这种行为:1)某些因素可能影响您的输入 PWM 脉冲、因为它们看起来与您首先发送的初始屏幕截图大不相同。 2)如果 PWM 输入的行为符合预期、首先确保不超过 MOSFET 的任何电压或电流限制、还确保不在 MOSFET 的线性区域内运行、因为增加的漏源电阻可能会导致热损坏。 我们的不同 UVLO 选项有助于在大多数情况下防止这一问题、因此请确保您使用的是符合 MOSFET 规格的正确 UVLO 选项。

    此致、

    会的

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    在栅极驱动期间(第一个栅极脉冲)烧断 MOSFET。 请验证以下原理图和波形。 请建议我需要更改的原理图元件。 此外、验证栅极驱动组件。

    在这里、PWM IC 3525电压电平为12V。 我连接了分压器。

       

    MOSFET 烧毁条件:   

        

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    尊敬的 Ravi:

    查看波形(假设黄色为 OUTA、绿色为 OUTB)后、OUTB 似乎会在 OUTA 仍为高电平时亮起、可能会导致击穿。 请确认您的 PWM 输入以及死区时间配置足以在 OUTB 开启之前关闭 OUTA 通道。

    此致、

    会的

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    您好!

    PWM 输入电压为12V。 我在 INA 和 INB 侧连接了分压器 以在5V 电压下转换相同的值。

    下面是我更改电源侧电容器时的波形、即  

    VDDA = 100uF 电子 和 100nF 陶瓷电容器

        

    VDDB = 10uF ELE 和100nF 陶瓷。

       

    如果有任何计算表、请分享。 如何验证死区时间。 请提出建议。

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    在电路发生一些变化后、系统现在可以工作、但在 INA 和 INB 信号处会接收到一些噪声、而两个 MOSFET 都导通。   

    蓝色和粉色信号为- INA 和 INB

    黄色-上部 VGS

    绿色-较低的 VGS

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    尊敬的 Ravi:

    可使用以下公式计算死区时间:

    T (kΩ)= 8.6 * RDT (k Ω)+ 13

    由此产生的死区时间将具有+/- 10%的容差。

    目前  很难判断噪声源。 对于这些波形中显示的噪声及其与输入信号的关系、您有什么更多信息吗?

    此致、

    会的