[参考译文] CSD19535KTT：CSD19535KTT 热计算

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器件型号：CSD19535KTT
主题中讨论的其他器件： CSD19536KTT

工具与软件：

大家好、团队成员：

客户参考我们的应用手册"半导体和 IC 封装热指标"

在此应用中、我们建议客户使用 Ψjt 来计算器件结温、但客户查看的 CSD19535KTT 数据表仍使用 Rθjc 来计算器件结温。

客户希望确认他们是否仍能使用 Rθjc 来计算？比较使用 Ψjt 有什么不同？

谢谢、此致

Eddie

0 admin 1 年多前

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Eddie、

感谢您的检查。

Δ R Ψjt 为封装顶部的硅结、我们在 CSD19536KTT 数据表中没有指定。 MOSFET Rθjc 表中的 Θ 不同、这是从 MOSFET 结到漏极选项卡/外露散热焊盘的热阻。

我们已经进行了一些测量、尽管不能保证、但如果客户希望为该 D2Pak 封装的顶部散热、则他们可以使用~30degC/W 的热阻将硅结连接到塑料顶部。

谢谢

Chris

0 admin 1 年多前

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Chris、您好！

感谢您的 Rθjc、但客户混淆了数据表中的 R θ Ψjt 为数据表中的0.5°C/W、它与我们上面建议的 R θ 大不相同。

如果客户使用散热器、他们应该使用 30摄氏度/瓦来计算结温？

谢谢、此致

Eddie

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Eddie：

该 D2PAK 封装的主要散热路径是通过漏极选项卡进入 PCB。在封装顶部散热也许不是很有效、这是因为通过塑料封装顶部的热阻相对较高。是、客户应将30°C/W 用于 Rθjc (顶部)。请参阅下面链接中的技术文章、了解有关 TI FET 封装热阻的更多信息。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

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