工具与软件：
大家好！
对于一个客户应用、我想使用 BQ25750。 在此项目中,我必须请求最大20A 的输入电流和从5V 到60V 的输入电压。 我想知道我可以并行放置多少 MOSFET ,这是嵌入式驱动器的大规模输出电流。
对于 H 桥、我想使用 Qg max = 87nC 的 BSC035N10NS5ATMA1 MOSFET。
最终、是否可以使用外部高/低侧驱动器？ 如果支持、我如何将其连接到 BQ25750？
感谢您的关注
保罗·A·
您好 Paolo、
您可以在数据表中找到驱动器阻抗：
IC 不支持外部驱动器、但您可以提供高达12V 的外部栅极驱动器。 外部栅极驱动器将有助于降低电路的开关和传导损耗。
您的输出电压是多少？
如果您使用的是 BQ25459的电源路径切换、Δv Ω 应小于30V。 您可以阅读此常见问题解答页面以了解更多信息： e2e.ti.com/.../faq-bq25750-what-do-i-need-to-know-about-the-bq25750-power-path-switchover
此致、
埃森·加洛韦
尊敬的 Ethan：
感谢您的快速回复！
在本项目中、我不使用直接电源路径控制、因此只将其用于为电池充电。
输出电压可在40V 至64V 之间变化、具体取决于所连接的电池组。
输入电压也可在5V 至60V 之间变化。
因此、我想使用多个并联的 MOSFET、如下图所示：
那么、我的问题是、我可以这么做吗？ BQ25750能够驱动此类电路。
谢谢你。
此致、
保罗·A·
您好 Paolo、
需要说明的是、这些都是开关 FET？
请记住、我们建议开关节点上的电容为 CSW (nF)< 160/VIN。 我还复制了数据表中的相关器件：
此致、
埃森·加洛韦
Ethan、您好！
扼要重述一下、使用 BQ25750时、不可能让超过2个 FET 并联。
这是我开发的原理图、但像这样、它不起作用：
使用 BSC035N10NS5 MOSFET (最多2个并联)。
您和我说要放置一个大型外部栅极驱动器、但如何将其连接到 BQ25750？
感谢您的关注。
此致
Ethan、您好！
也许您是这样说的：
具体而言：
在这种情况下、SW1和 SW2未连接？
对不起我坚持,但我没有经验在这个领域的申请。
谢谢你。
此致
保罗·A·
您好 Paolo、
顺便说一下、BQ25756无法支持使用外部栅极驱动器。
SW1和 SW2应该被这样连接。 此图像来自 EVM 用户指南：
此致、
埃森·加洛韦
