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器件型号：CSD25501F3 主题中讨论的其他器件：TPL5110、
工具与软件：
我们正在使用 TI 的 TPL5110设计一种新型电池供电电路。 我需要在此设计中找到一个 MOSFET、并确定用于估算电池寿命的漏电流 Ids。
我们将在3V 和高达85ºC μ A 的电压下运行。
我们看了 CSD25501F3。 数据表指定了：
IDSS 漏源漏电流、VGS = 0V、VDS =–16V–50nA
我可以从下面的文章中看到、漏电流会随着温度的升高而大幅增加、但随着电压的升高、漏电流也会减小：
您能否提供此器件的有关 Idss 与温度及电压的图表。
如果有其他具有低 Ids 的替代 MOSFET 可用于此应用、您还可以提供建议吗？
此致
Mikal
