[参考译文] LMG3422R030：VSD 远小于数据表中的值

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1402751/lmg3422r030-vsd-is-quite-smaller-than-its-value-in-the-datasheet

器件型号：LMG3422R030

工具与软件：

大家好、团队成员：

目前、当客户进行反向测试时、发现 VSD 的值比数据表中的值小很多、如下所示：

输入电流	环境温度℃	电压 V	电流 A	功率损耗 W
3A	28.201	0.6465	2.9846.	1.9295.
4A	28.631.	0.6639.	3.9796.	2.6419
6A	28.462	0.7211.	5.9688.	4.3043.
7安培	29.344.	0.7637	6.9634.	5.3176

您可以帮助检查这里是否有任何问题吗？如果、您能否为客户提供专业建议？提前感谢。

BRS、

Francis

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2434370 points

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尊敬的 Francis：

当他们测量 VSD 时、是否为器件提供 VDD 电压？

此致！

Kyle Wolf

0 admin 1 年多前

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你好、Wolf、

没有连接、这是问题吗？如果是、原理是什么？谢谢。

BRS、

Francis

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Francis：

Kyle 现在不在办公室、因此我可以同时帮助提供支持。

器件在 VDD 引脚上供电非常重要、否则关断状态条件将不准确。

请建议您的客户给 VDD 电源供电并重新测试、如果您有任何其他问题、请告诉我。

谢谢！

Zach

0 admin 1 年多前

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尊敬的 Zach：

我已要求客户使用电源再次进行评估。

但是、您能否在客户要求时提供一个内部原则解释。

谢谢。

BR、

Francis

0 admin 1 年多前

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您好！

我会为您澄清一下。

该器件 LMG3422是耗尽模式 GaN FET、这意味着该器件通常在未提供 VDD 时导通。为安全起见、我们将一个硅 FET 与 GaN 串联、这样如果未应用 VDD、器件仍会阻断电压、示意图如下所示：

如果客户未对器件应用 VDD 并测量反向压降、会发生什么情况？ GaN FET 部分将开启并导通、因此那里的唯一压降将来自该器件的 Rdson (26m Ω)。硅 FET 将通过其体二极管进行传导、并具有大约0.7V 的压降。这就是为什么客户在低电流下会看到大约0.7V 的压降、而在电流增加时会看到略高的压降。电流增加会导致耗尽模式 FET 上的压降较高(用作值为26m Ω 的电阻器)。

如果器件通过 VDD 上电、GaN FET 将关断、反向导通将遵循数据表中所示的情况。

如果您需要进一步解释这一点、请告诉我。

此致、

Zach

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