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器件型号：TPS23753A 工具与软件：
我刚刚完成了 TPS23753A 的实施、主要是基于 TPS23753AEVM-001的原理图
我的堆叠包括四层和单面组装、因此它与 EVM 布局有一点不同。
是否有可能对原理图和布局进行审阅？ 这可以帮我解决很多问题、并可以防止不必要的错误。
这些文件是机密文件、因此我更愿意通过邮件发送。
提前感谢、
Jesse
工具与软件：
我刚刚完成了 TPS23753A 的实施、主要是基于 TPS23753AEVM-001的原理图
我的堆叠包括四层和单面组装、因此它与 EVM 布局有一点不同。
是否有可能对原理图和布局进行审阅？ 这可以帮我解决很多问题、并可以防止不必要的错误。
这些文件是机密文件、因此我更愿意通过邮件发送。
提前感谢、
Jesse
尊敬的 Jesse：
请参阅下面对原理图的注释。 对于布局、是否可以发送一个 BRD。 版本文件还是 PCB 原始文件？ 谢谢！
1.如果不使用适配器、您可以将 APD 绑定到 RTN。 也可以保留当前电路。
2.如果出现任何噪声、建议在 CS 和 RTN 之间添加一个1k 电阻和一个47 - 100 pF 的电容。 
3、建议安装无源 RCD 钳位电路以释放漏感能量,减少开关过冲。 
4. POE70P-50L 的额定功率为7W。 请检查输出是否超过1.4A？ 
5.输出电容可进一步增大。 对于低输出电压、建议使用更高的电容。 陶瓷电容器在高压下的电容可能会降低。 
此致、
Diang
尊敬的 Jesse：
请参阅下面的布局检查注释。 我还附上了一份可能有用的布局检查清单。 如果您还有其他问题、请告诉我。 e2e.ti.com/.../0250.PoE-PD-Layout-Check-LIst.xlsx
1.机箱和数据接地之间的隔离优于1.5kV rms 以上。 另外有些蓝线跨越隔离多边形、消除了隔离。
2. PoE 输入和输出接地之间的隔离优于1.5kV rms 以上。
3.栅极回路太长且栅极路径宽度太薄(建议使用大于20mil 的宽度)。
4.电力回路太长。 电源路径太薄(建议宽度大于50mil 或多边形)。
电流感应 RC 需要靠近 PWM 芯片(TPS23753A)
此致、
Diang
