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器件型号：BQ25186 Thread 中讨论的其他器件： BQ25185、 BQ27621-G1
工具与软件：
尊敬的 TI Guru：
我们正在研究一组解决方案来替代 ADI 的 MAX17332、当然 TI 没有相似的 AIO 部件、因此我们也在研究一组 IC。
我们的需求类似于单节锂离子~800mA H.中的 AR/VR 应用
我们已经确定 BQ25186及其姊妹产品 BQ25185是此应用的理想候选器件、该应用程序需要：
*为深度睡眠/运输模式提供低 IQ 支持
*高电流能力,外部或内部 MOSFET 高达2A 连续@ 50C 环境。
*线性充电能力500mA TARGET
*解决方案尺寸小、最好是晶圆芯片级或类似尺寸。
*适用于大多数低 IQ 操作的精确电量监测(可正常运行的阻抗跟踪或高级算法)
*首选充电器的 I2C 控制
现在我可以看一下
* BQ2518x + BQ27621-G1
Q1：我看到 BQ25185/BQ25186声称支持3.1A 放电、但也声称电池 FET Rdson 为115m Ω。 这会导致 FET 中的功率损耗约为1W。 我在第一页以外的数据表表的任何位置都找不到任何有关内部 MOSFET 的 Rdson。 请您确认一下吗？
问题2：是否有任何不带 PowerPath 的设备可以满足我们的要求？ 由于实际上有多个端子要充电、因此我们不一定需要或不需要电源路径控制。
问题3：除了我提到的产品之外、您对一组满足我们需求的产品有什么建议吗？
