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[参考译文] CSD85312Q3E:CSD85312Q3E 共源极问题

Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI, CSD85312Q3E
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1410007/csd85312q3e-csd85312q3e-common-source-question

器件型号:CSD85312Q3E
Thread 中讨论的其他器件:Tina-TI

工具与软件:

尊敬的 TI:

我有一个应用将使用背对背公共源 NMOS。

我想使用5V 来打开 背对背 NMOS、如果没有5V 电压、3.3V 就不会泄漏到 Drain2信号。 电路是否可以使用该功能?

此外、我知道 NMOS 开启条件是 VGS >Vth、但当 NMOS 关闭时、  它是否应该在两个源极引脚上悬空?

如果是、它如何工作? 这可能是一个基本的知识,但混淆了我很长一段时间,  如果你能帮助我清楚。

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    Chien、您好!

    感谢您关注 TI FET。 在采用双共源器件的大多数应用中、共源端子保持悬空。 要导通两个 FET、必须将公共栅极拉至比最高漏极电压高至少4.5V (VGS 的最低值、在数据表中指定导通电阻并在生产中进行测试)。 通常情况下、一个漏极连接到输入电压、另一个漏极连接到负载或输出。 当公共栅极被拉至足够高的电压时、FET 将导通、并且两个漏极和公共源极的电压将大致相同。 如果其中一个漏极具有3.3V 电压并将公共栅极驱动至5V、则共源极将约为3.3V 且 VGS = 5V - 3.3V = 1.7V < 4.5V -> FET 不会得到完全增强、也不能保证 RDS (on)。 阈值电压是 FET 刚刚开始传导电流的 VGS 值、并在 ID = 250μA 下指定。 以便保证导通电阻 VGS≥4.5V。 我希望这对您有所帮助。 如果您有其他问题、敬请告知。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    尊敬的 John:

    感谢您的详细解释,并帮助我很多! 以下仍有一些问题:

    由于应用不是功率而是信号传输、因此是否需要保证 RDS (ON)? 仅满足 VGS > Vth 条件是否可行?

    关于 VS、 您能否进一步解释 VS 电压电平如何从悬空传输到两个漏极和共源极中的电压是相同的?

    此致、

    Scott

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    Scott、您好!

    我认为将单个 FET 用作高侧开关会更简单、其中漏极连接到输入电压、源极连接到负载。 实际上、源极会悬空、具体取决于与其连接的阻抗。 当栅极驱动至高电压时、FET 开始导通、此时 VGS = VTH 且源极电压开始上升至漏极电压。 它与背对背 FET 类似、当两个 FET 都关断时、会阻止电流流动。 我创建了一个简单的直流传输特性 TINA-TI 仿真。 共源悬空、当栅极驱动至更高的电压时、VGS 上升、且 FET 在 VGS = VTH 时开始开启。 VGS 保持平稳、直到栅极电压约为5V、然后随着 FET 增强(更硬导通)而开始上升。 源极电压现在是固定的、进一步增加栅极电压不会改变源极电压。 随附的 PDF 包含仿真电路和结果。 如果您想尝试仿真、请告诉我、我可以为您提供。

    CSD85312Q3E 是一款可传导高电流的功率器件。 我不确定传递小信号的效果如何。 这是一个成本相对较高的器件、我确信有较低成本的解决方案。 您是否考虑过使用2个分立式 FET (例如我们的一个 FemtoFET)?

    谢谢!

    John

    e2e.ti.com/.../CSD85312Q3E.pdf

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    尊敬的 John:

    我想我已经澄清了它,感谢您的帮助!

    谢谢!

    此致、

    Scott  

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    Scott、您好!

    感谢您的跟进。 我将关闭该主题帖。

    此致、

    John